SJT 11395-2009半导体照明术语.pdf

ICS 31. 260L50备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11395—2009半导体照明术语Semiconductor Iighting terminology2010-01-01 实施2009-11-17 发布中华人民共和国工业和信息化部发布 .1-2009.11395前言。范围规范性引用文件23术语和定义3.1基本术语.3.2LED类型..---:3.3外延3.4芯片.3.5封装光度量..3.6:h.12色度量.3.7133.8热、电测量..LED应用产品3.9中文索引.英文索引（资料性附象本标准参加单位附录A SJ/T 11395—2009录A为资料性附工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。1:1由半导体照明技术标准工作组组织起草。中国光学光电子行业协会光电器件分会、深圳市淼浩高新科技开发有限公司、厦草单,1公司、工业和信息化部电子工业标准化研究所单位：见附录A、胡爱华、吕毅军、刘秀娟、彭万华·Bil!:: 版权专SJ/T/11395-2009半导体照明术语-- 范围本标准规定了半导体照明基本名词与术语的定义本标准确定的术语适用于半导体照明相关的生科研和贸易等方面的应用。规范性引用文件2下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的案款，沉是注日期的引用文件，其随后的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而鼓励粮据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的必威体育精装版版本凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本适用于本标准。茶GB/T2900.32—1994电工术语　电力半导体器件GB/T 2900.65--2004)电工术语照明（IEC60050（845）：1987，MOD）GB/T2900.66-2004电工木语*半导体器件和集成电路（IEC60050-521：2002IDT)GB/T5838-1986-荧光粉名词术语：GB/T13962—1992光学仪器术语GB/T14113—1993|半导体集成电路封装术GB/T14264--1993半导体材料术语GB/T15608-—2006中国颜色体系60747-51992GB/T15651—1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件Tr..IDT)!!!3“术语和定义:i引用文件中确定的未语以及下述术语适用于本标准。0.3.1基本术语13.1.1.o,*t半导体semiconductor两种载流子引起的总电导率通常在导体和绝缘体之间的一种材料，这种材料中的载流子浓度随外部n条件改变而变化。M[GB/T2900.66—2004，定义521-02-01]3.1.2半导体器件semiconductor device其基本特性是由在半导体中的载流子流动所决定的器件。注：该定义包括基本特性仅部分地由于载流子在半导体中流动产生的器件，从规范的角度考虑这些器件仍被认为是半导体器件，[GB/T 2900.66--2004,定义521-04-01]3.1.3[半导体]】二极管［semiconductor].diode具有非对称的电压电流特性的两引出端半导体器件，除非另有说明，此术语通常表示具有典型单一PN结电压电流特性的器件。 SJ/T 11395--2009[GB/T 2900.66—-2004，定义521-04-03]3.1.4发光二极管light-emitting diodeLED当被电流激发时通过传导电子和空穴的再复合产三生自发辐射而发出非极管3.1.5Iighting半导体照明 semiconductor.二极管作为光源的照明方式采用发光二工固态照明solid state lightingSSL采用固体发光材料（如发光三极管LED、场致发光EL、有机发光OLED等）为光源的照明方式。3.1.72衬底substrate，扩散、离子注入等后序工艺操作的基体单晶片用于外延沉积、[GB/T 14264-1993，定义Y外延片epitaxial wafer.用外延方法制备的具有电致发光功能的结构片.1.9室发光二极管芯片light-emitting diode chip具有PN结结构、有独立正负电极、加电后可辐射发光的分立半导体晶片。3.1.10LED模块LEDmodulS由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路，控制电路封装在一起，带有连接接口并具有发光功能且不可拆卸的整体单元23.1.11.LED 组件LED discreteness】：由LED或LED模块和电子元器件组合在一起，具有一定功能并可维修或拆卸的组合单元。 3. 1.12内量子效率internal quantumefficiency有源区产生的光子数与所注入有源区的电子一空穴对数之比。3.1..13!出光效率ion efficiencylight extract..-逸出LED结构的光子数与有源