SJT 10055-19912CZ58型硅整流二级管详细规范.pdf

中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范2CZ58型管壳额定硅整流二极管SJ/T 10055-91Detail specification for electronic componentsCase-rated silicon rectifierdiodefor type 2Cz58本标准适用于2CZ58型管壳额定硅整流二极管，它是按照GB6351《100A以下环境和管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范》标准制订的，符合GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》1类的要求。中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施1 SJ/T 10055--91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质量的根据：GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路SJ/T 10055-91总规范》：GB12560《半导体器件分立器件分规范》。2CZ58型硅整流二极管详细规范订货资料：见本规范第7章。1机械说明简略说明2外形标准：符合GB7581《半导体分立器件管壳额定整流二极管外形尺寸》中的C1—01D型的规定。半导体材料：硅外形图见10.2。封装：空腔引出端的识别：（如图所示）应用：在电子设备中作整流用箭头指向为负极端。0质量评定类别：31类文参考数据：VRRMVrMIr(AV)(V)(A)(V)101. 6100~2000 SJ/T 10055-914极限值（绝对最大额定值）除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。数值名称符号单位条文号最小值最大值4.1℃管壳温度Tcase-55135r4. 2150贮存温度Tatg55c4. 3有效结温150T(vi)4. 4电压4.4.1VM反向重复峰值电压v1002CZ58Cv2002CZ58Dv3002CZ58EV2CZ58F400500V2CZ58GV6002CZ58HV7002CZ58Jv8002CZ58Kv9002CZ58Lv10002CZ58MV2CZ58N1200v2CZ58P1400v16002CZ58Qv18002CZ58RV20002CZ58S4.4.2反向工作峰值电压VrWMv1002CZ58CV2002CZ58Dv3002CZ58Ev4002CZ58Fv5002CZ58Gv6002CZ58Hv7002CZ58Jv8002CZ58Kv9002CZ58Lv2CZ58M1000v12002CZ58Nv14002CZ58Pv16002CZ58Qv18002CZ58Rv20002CZ58S4.4. 3VRsM反向不重复峰值电压v1402CZ58Cv2CZ58D270v2CZ58E400-3 SJ/T 10055--91续表数值条文号名称符号单位最小值最大值2CZ58F540v2CZ58Gv6702CZ58Hv8002CZ58Jv940v2CZ58K10702CZ58Lv1200A2CZ58M13402CZ59Nv1600v2CZ58P18702CZ58Qv21402CZ58Rv24002CZ58Sv26704. 5电流4.5.1在规定的转折点温度Tbreak下的平均正向电流。AIF(AV)10在单相电路中，电阻性负载的条件下，正弦波的导通角为180°时。4.5.5正向(不重复)浪涌电流I FsM210A在最大平均正向电流下连续工作之后加的正弦半波(50Hz10ms）电流的最大允许值。不加反向电压。4.5.61max正弦半波（50Hz10ms）的最大值，不加反It220As向电压（初始结温T(vi)=25℃)。4.7机械额定值安装转矩Md2N·m5电特性检验要求见本规范的第8章。数 值特性和条件试验条文号符号单位除非另有规定Tcase=25℃分组最小值最大值5.1正向电压5.1.1在峰值电流为倍额定最大平均正向电流VrMV1. 6A2bIrAv)时的电压最大值（π取3)。5. 2反向电流在额定电压VxRm时，反向峰值电流1xm的最大值。5. 2.1在Tcase=25℃无正向耗散时I xMI0.09mAA2b5. 2. 2在Teaxe=150℃，无正向耗散时IRM22. 5mAC2b5. 5热阻R(th)j-cC/w4.0C2d6 标志.4- SJ/T 10055--916.1器件上的标志：6.1.1引出端识别：如极性与第1章规定相反，应在型号后加“（R）以示区别。6.1.2型号和质量评定类别。6.1.3制造单位、代号或商标。6.1.4检验批识别代码。6.1.5其他。6.2包装盒上的标志6.2.1器件名称、型号、质量评定类别。6.2.2制造单位名称和商标。6.2.3检验批识别代码。6.2.4其他。7 订货资料7.1产品名称、型号、质量评定类别7.2订货数量7.3产品的详细规范号7.4其他8 试验条件和检验要求在本章中，