SJT 10064-1991BT32型PN硅单结晶体管详细规范.pdf

SJ中华人民共和国电子工业行业标准SJ/T 10064-91电子元器件详细规范BT 32、33、37型PN硅单结晶体管（可供认证用）1991-07-01实施1991-04-08发布中华人民共和国机械电子工业部　发布 中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范BT32型PN硅单结晶体管SJ/T10064--91Detail specification for electronic componentPN silicon unijunction transistors for type BT 32（可供认证用）本规范规定了BT32型PN硅单结晶体管质量评定的全部内容，它是按照GB/T13066《PN硅单结晶体管空白详细规范》制定的。本规范符合GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB12560《半导体分立器件分规范》的要求。中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所。1991-07-01实施中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1 SJ/T 10064-91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质量的根据：GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路SJ/T 10064--91总规范》GB12560《半导体分立器件分规范》BT32A.BT32B.BT32C.BT32D.BT32E.BT32F型PN硅单结晶体管详细规范订货资料：见本规范第7章2简略说明1机械说明PN硅单结晶体管外形标准：GB7581《半导体分立器件外形尺半导体材料：N型硅寸》中代号A3-01B封装：金属（空腔）外形图及引出端识别：应用：适用于双稳态线路，电压偏置线路，时间线路及点火和振荡线路5.31~5.843质量评定类别1类53A.参考数据：（Tamb=25℃）Ptot(T) = 300 mW7 : 0. 30 ~ 0. 55(A B)N0. 45~0. 75(C D)0. 65~0. 90(E F)公称尺寸：单位mmS1Vepl ≤4 VT标志：见本规范第6章IB2:5~35mA2 SJ/T 10064—914极限值（绝对最大额定值）数值条文号极限值符号单位最小值最大值4.1℃工作环境温度Tamb-551754. 2贮存温度-55175℃Tstg4. 3最高基极电压①VB2B1(MAX)15v4. 4耗散功率4.4.1最高有效(等效)结温T (vi)175℃4.4.2与温度相关的最大总耗300Ptot(T)mw散功率?注:①见附录 B,其中 R1 =202。②Tamb25℃，Ptot按2.4mW/℃线性降额。5电特性检验要求见本规范的第8章特性和条件数值条文号除非另有规定符号单位检验组别最小值最大值Tamb= 25C5. 1分压比A2b?Va281 = 15 VBT 32 A、B0.300. 55BT 32 C、D0. 450. 75BT 32E、F0.650. 905. 2基极间电阻RpkQA2bVz2B1 = 15 VIg m 03BT 32 A、C、E6512BT 32 B、D、F5. 3发射极与第二基极间反IEB20-1uAA2b向电流VB2 = -60 VIgl = 05. 4发射极饱和压降Vep14vA2bVB2B1 = 15 Vl = 50mA3- SJ/T10064--91(续表)值特性和条件数单位检验组别符号条文号除非另有规定最小值最大值Tamb 25℃1A2b535mAIg25.5基极间调制电流V281 -- 15 VIg =50mAA2b2μAIp5.6发射极峰点电流Vp2B1 = 15 VA2b1. 5IvmA5.7发射极谷点电流Vsz81 = 15 VRsz2 = 100 QvA2bVv3. 55.8谷点电压Vz21 == 15 vRs2 = 100 Q6 标志6.1器件上的标志型号和质量类别（放在型号后面）；a.制造厂商标；b.检验批识别代码；c.认证合格标志（适用时）。d.6.2包装盒中的标志；重复器件上的标志；a.b.“防湿”等。订货资料7型号;a.b.本规范编号；其它。c.·4 SJ/T 10064--918试验条件和检验要求A组——逐批全部试验是非破坏性的检查要求条件检验或试验引用标准除非另有规定数值1类单位Tamb= 25℃LTPD最小值最大值A1分组5目检5.1.1A2a分组1不工作器件Rb附录A70. 31200VB281 = 15 V, Ig = 0kon附录A30. 0390VB2B1 = 15 VA2b分组57附录A3VB2B1 15 VBT 32 A.B0. 300. 55BT 32 C.D0. 450. 75BT 32.E.F0. 650. 90RB附录A7VB2B1 =15 V, Ig = 0koBT 32 ACE36BT 32 BDF512IgB