SJ_T 1830-2016半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范.pdf

SJ_T 1830-2016半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范.pdf

  1. 1、本文档共13页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
ICS 31.080.30L42SJ备案号:中华人民共和国电子行业标准SJ/T1830—2016代替SJ/T1830-1981半导体分立器件3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范Semiconductor discrete devicesDetail specification for silicon NPN low power switching transistortype 3DK1012016-09-01实施2016-04-05发布发布中华人民共和国工业和信息化部SJ SJ/T 1830—2016前言本规定按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本规定代替SJ/T1830—1981。与SJ/T1830—1981相比,本规定主要技术变化如下:一本规定外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。原标准开关参数ts(载流子贮存时间)和t(下降时间)在本规定中合并为tofr(关断时间)即toff-ts+tfo请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本规定由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本规定起草单位:石家庄天林石无二电子有限公司。本规定主要起草人:赵滨宋凤领吕瑞芹。本规定于1981年首次发布,本次为第一次修订。1 SJ/T1830—2016引言本规范适用于3DK101型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T6218一1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定,符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范》II类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。INFORMATIONZANDMTECHNOLOGY...SSRDII SJ/T 1830—2016半导体分立器件3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范本规定适用于3DK101型NPN硅小功率开关晶体管。本规定按照GB/T6218一1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定,符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范》I类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。→ SJ/T1830—2016中华人民共和国工业和信息化部评定器件质量的根据:GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分:SJ/T1830—2016分立器件和集成电路总规范》GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》半导体分立器件3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范外形尺寸简略说明开关用环境额定的双极型晶体管外形符合GB/T7581—1987《半导体分立器件外形尺寸》本材料:硅中A3-01B型的规定。ANDSETORAI(空腔OSTRYADda开关及高频放大与振荡用。质量评定类别ⅡI类45Do@网#TECHNOL参考数据(T=2EP.3区EPtor=200 mWIc=40 mAS0 V (3DK101A、B)?T/(3DK101C)208DK10A)25V(3DK101B)VCEO=15V (3DK101C)2EEVEBO=4 V4≥300MHShFE:251801.发射极2.基极3.集电板RD单位为毫米尺寸数值.符号最小标称最人4.32A5.33da2. 54bi1. 01b0. 400.51ΦD5. 315. 84ΦD4.534. 95j0.921. 041. 16K0. 511. 21L12.525. 0L1. 272 SJ/T1830——20164规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T2423.23一2013环境试验第2部分:试验方法试验Q:密封GB/T4587一1994半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范GB/T4937—19955半导体器件机械和气候试验方法GB/T6218—1996开关用双极型晶体管空白详细规范GB/T7581—19877半导体分立器件外形尺寸GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范5极限值(绝对最大额定值)极限值见表1。除非另有规定,这些极限值在整个工作温度范围内适用。表 1极限值数值条款符号参数单位号最大值最小值℃4. 1工作环境温度Tanb-55125℃4. 2贮存温度Tstg-55175V4. 3VeBo最大集电极-基极直流电压303DK101A303DK101B203DK101CV4. 4最大集电极-发射极直流电压VeEo203DK101A253DK101B153DK101C4V4. 5最大发射极-基极直流电

文档评论(0)

consult + 关注
官方认证
内容提供者

consult

认证主体山东持舟信息技术有限公司
IP属地山东
统一社会信用代码/组织机构代码
91370100MA3QHFRK5E

1亿VIP精品文档

相关文档