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L 40备案号:791997SJ中华人民共和国电子行业标准SJ/T 10696-1996半导体分立器件QL50型机动车用九管桥式整流组件详细规范Semiconductor discrete deviceDetail specification for type QL50 in use for automotivenine diodes bridge rectifying modules1996-11-01实施1996-07-22发布中华人民共和国电子工业部 发布
前 言本标准是为机动车发电机配套用整流桥制定的产品详细规范。它是按照GB6351-86《100A以下环境和管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范》标准制定的,符合GB4589.1一89《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB12560-90《半导体器件分立器件分规范》Ⅲ类的要求。另外根据组件特点又补充一些电参数。本标准主要引用了GB4023-86《半导体分立器件第2部分:整流二极管》。GB4937—85《半导体分立器件机械和气候试验方法》和GB4938一85《半导体分立器件接收和可靠性》。本标准建议于一九九七年一月日实施。本标准的附录A、附录B都是标准的附录。本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准由中国振华集团永光电工厂负责起草。本标准主要起草人:杨华、邹盛琳、刘东才。计划项目代号:S41007。
中华人民共和国电子行业标准半导体分立器件SJ/T10696-1996QL50型机动车用九管桥式整流组件详细规范Semiconductor discrete deviceDetail specifiation for type QL50 in use for automotivenine diodes bridge rectifying modules电子工业部评定器件质量的根据:GB4589.1-89半导体器件分立器件和集成电路总规范GB 12560—90《半导体器件分立器件分规范》QL50型机动车用九管桥式整流组件详细规范订货资料:见本规范第7章1机械说明:2简略说明:外形图见图1半导体材料:硅封装:非空腔封装3质量评定类别:Ⅱ主整流单元封装材料:硅橡胶封装辅助整流单元封装材料:玻璃钝化封装参考数据:50A组件额定电流:1。反向重复峰值电压:VRRM270V辅助整流单元5A额定电流:1ol150℃工作结温:T;550V绝缘电压:Vds1996-11-01实施中华人民共和国电子工业部1996-07-22批准
SI/T 10696-19963-输入端60n?800R555.5:82R26.5R40O0IR5R3-M5E5+9°11图1外形图2-
SJ/T 10696 - 1996极限值(绝对量大额定值)4数值单极值条款号限符号位最小最大T eusc150r4.1管壳温度-40T stg150 / 4.2贮存温度-40T;150r4.3等效结温电压4.4VRRMV2704.4.1主整流单元(单管)反向重复峰蜂值电压VVRWM2704.4.2主整流单元(单管)反向工作峰值电压VVRSM3004.4.3主整流单元(单管)反向不重复峰值电压VVRRM2704.4.4辅助整流单元(单管)反向重复峰值电压270VVRWM4.4.5辅助整流单元(单管)反向工作峰值电压300v4.4.6辅助整流单元(单管)反向不重复峰值电压VRSM4.5电流在规定的转折点温度Tbrak下的平均正向电流4.5.1IF(AV)20主整流单元(单管)A2A辅助整流单元(单管)在单相电路中,电阻性负载条件下,正弦波的导通角的最大值180。Io50 |A组件额定电流51AIot.辅助整流单元额定电流正向浪涌电流(单管)I FsM4.5.2下列电流额定值相当于正弦半波(50Hz,10ms)的最大允许电流200主整流单元A20A辅助整流单元5电特性数值件特性和条试验符单位号条款号分Ta = 25℃组除非另有规定大最小最VFM5.1正向压降(单管)在峰值电流为充倍(元可取3)时额定最大平均正向电流IFAV)时的电压最大值V1.4A2b主整流单元v1.2A2b辅助整流单元5.2反向电流(单管)在额定电压VrwM下的反向峰值电流IRM的最大值3
SJ/T 10696 - 1996续表数值主和条件试验特性符单位条款号号分Teo = 25℃组除非另有规定小最最大IRMI5.2.1室温反向峰值电流0.3A2b主整流单元Vr = 270VmAA2bVR=270V0.1辅助整流单元mATeame=150℃ 时的反向峰值电流5.2.2IRM23C2b主整流单元VR = 270VmA1辅助整流单元VR = 270VmAC2b标志66.1组件上的标志引出端识别标志;.组件型号、质量评定类别;制造厂商标;检验批识别代码。6
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