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一种栅极结构及IGBT器件.pdfVIP

一种栅极结构及IGBT器件.pdf

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    本实用新型公开了一种栅极结构，具有多晶硅条，多晶硅条中部为主栅区，主栅区至少一端连接有电阻区，电阻区的宽度小于主栅区的宽度；所述主栅区和电阻区组成的整体结构的两端上方的介质层中加工有接触孔，接触孔中填充有金属。本实用新型的栅极结构主栅区两端的电阻区的宽度比主栅区宽度小，电阻区的电阻很大，相当于在主栅区两端串联了一个电阻，而且本实用新型栅极结构的主栅区、电阻区、接触区和过渡区，可以通过一次光刻以及刻蚀工艺制作完成，无需增加额外的制造成本。相比现有技术，本实用新型无需在IGBT或者VDMOS器件外部

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210073862 U (45)授权公告日 2020.02.14 (21)申请号 20192

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