典型整机线路介绍.ppt

图9―8 nRF401内部结构 * 第三十页，共四十六页，2022年，8月28日 调频接收机部分前端电路己经实现了集成化,如单片IC2N7254。这类电路中,混频器采用通常的双平衡式乘法电路(差分电路),本振电路通常为集电极接地的考毕兹电路,在本振电路与混频器之间有一缓冲放大器,以防止输入信号对本振电路产生影响。现在,已经出现了包括FM、AM功能在内的集射频、中频、解调和低放于一体的高集成度单片集成电路,如MC3362/3等。图9-9为MC3363组成框图。 * 第三十一页，共四十六页，2022年，8月28日 图9―9 MC3363组成框图 * 第三十二页，共四十六页，2022年，8月28日 9.3 高频电路EDA 9.3.1 EDA技术及其发展 EDA技术的发展可分为三个阶段: 计算机辅助设计（CAD）阶段。 计算机辅助工程（CAE）阶段。 电子系统设计自动化（ESDA）阶段。 * 第三十三页，共四十六页，2022年，8月28日 《高频电子线路》 第10章 典型整机线路介绍 * * 典型整机线路介绍 * 第一页，共四十六页，2022年，8月28日 10.1 高频电路的集成化 10.1.1 高频集成电路的类型 集成电路是为了完成某种电子电路功能,以特定的工艺在单独的基片之上或基片之内形成并互连有关元器件,从而构成的微型电子电路。 高频集成电路都可以归纳为以下几种类型: * 第二页，共四十六页，2022年，8月28日 (1)按照频率来划分,有高频集成电路、甚高频集成电路和微波集成电路（MIC）等几种。 (2)与普通集成电路一样,高频集成电路可分为单片高频集成电路（MHIC）和混合高频集成电路（HHIC）。 (3)从功能或用途上来分,高频集成电路有高频通用集成电路和高频专用集成电路（HFASIC）两种。 * 第三页，共四十六页，2022年，8月28日 10.1.2 高频电路的集成化技术 纷繁众多的高频集成电路,其实现方法和集成工艺除薄/厚膜技术等混合技术外,通常有以下几种: 1．传统硅（Si）技术 1958年美国得克萨斯仪器公司（TI）和仙童公司研制成功第一批集成电路,接着在1959年发明了制造硅平面晶体管的“平面工艺”,利用半导体平面工艺在硅片内制作元器件,并按电路要求在硅片表面制作互连导体,从而制成高密度平面化的集成电路,完善了集成电路的生产工艺。 * 第四页，共四十六页，2022年，8月28日 2．砷化钾（GaAs）技术 以砷化钾材料替代硅材料形成的砷化钾技术主要用在微波电路中。砷化钾集成电路自1974年由HP公司首创以来,也都一直用在微波系统中。作为无线通信用高频模拟集成电路的选择,砷化钾器件也只是近几年的事情。 * 第五页，共四十六页，2022年，8月28日 砷化钾MESFET的结构如图9―1所示,它是在一块半绝缘的砷化钾衬底上用外延法生长一层N型砷化钾层,在其两端分别引出源极和漏极,在两者之间引出栅极。对于砷化钾MESFET,栅长是一个决定最大工作频率（fmax）的关键参数。 * 第六页，共四十六页，2022年，8月28日 图9―1 砷化钾MESFET的结构 * 第七页，共四十六页，2022年，8月28日 首次出现于1980年的高电子迁移率晶体管（HEMT）可以最大限度地利用砷化钾的高电子迁移率的特性。耗尽型的HEMT场效应管是在半绝缘的GaAs衬底上连续生长不掺杂或轻掺杂的GaAs、掺硅的n型AlxGa1-xAs层和掺硅的n型GaAs层,在AlxGa1-xAs层内形成耗尽层。再利用AlGaAs和GaAs电子亲和力之差,在未掺杂的GaAs的表面之下形成二次电子气层,如图9-2所示 * 第八页，共四十六页，2022年，8月28日 图9―2 耗尽型的HEMT场效应管结构 * 第九页，共四十六页，2022年，8月28日 另一种GaAs异质结器件GaAsHBT也越来越受关注,它属于改进型的双极晶体管,其发射极和基极被制作在不同材料的禁带中,如图9―3所示。 * 第十页，共四十六页，2022年，8月28日 图9―3 GaAsHBT结构 * 第十一页，共四十六页，2022年，8月