RB476D-rev0.6-晶准-恒佳盛一级代理.pdf

内置MOSFET锂电池保护芯片RB476D 概 述 特 性 RB476D是一款内置MOSFET 的单节锂电池保 1内置 16 mΩ MOSFET 护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低 2 超小超薄DFN2X3-6封装 阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压， 3 内置过温保护 充电过流，放电过压，放电过流，过热，短 4 三重过放电流检测保护 路等各项保护等功能，确保电芯安全，高效 5 超小静态电流和休眠电流 的工作。 A 静态工作电流为3.2 uA RB476D采用DFN2X3-6封装，外围只需要一 B 休眠电流为0.8 uA 个电阻和一个电容，应用极其简洁，工作安 6符合欧洲 ROHS 标准的无铅产品 全可靠。 应 用 典型应用图 单节锂离子可充电电池组 单节锂聚合物可充电电池组 封装和引脚 管脚 符号 管脚描述 1，2 GND 芯片地，接电池芯负极 3 VDD 电源端 4,5,6 VM 负载或充电器负电压接入端 7 EPAD 必须接芯片地，过大电流。 订货信息 过充检 过充解 过放检 过放解 过流检 打印标 型号 封装 测电压 除电压 测电压 除电压 测电流 记 （V） （V） （V） （V） （A） R476d RB476D DFN2X3-6 4.44 4.25 2.50 3.00 8.5 xxxx RB476D Rev.0.6 1/ 8 内置MOSFET锂电池保护芯片RB476D 注意：打印标记的xxxx为字母和数字，用于产品批次识别。 原理图 Figure 2. 原理图 绝对最大额定值 参 数 符 号 最小值 最大值 单 位 供电电压 (VDD和GND 间电压 ) VDD -0.3 8.0 V 充电器输入电压（VM和GND间电压) VM -6 10.0 V 存贮温度范围 TSTG -55 145