RB369A-rev0.5-晶准-恒佳盛一级代理.pdf

内置MOSFET锂电池保护芯片 RB369A 概 述 特 性 RB369A是一款内置MOSFET 的单节锂电池保 1 内置8 mΩ MOSFET 护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低 2 散热好的ESOP_8 封装 阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压， 3 内置过温保护 充电过流，放电过压，放电过流，过热，短 4 三重过放电流检测保护 路等各项保护等功能，确保电芯安全，高效 5 超小静态电流和休眠电流 的工作。 A 静态工作电流为7 uA RB369A采用ESOP_8封装，外围只需要一个 B 休眠电流为1.0 uA 电阻和一个电容，应用极其简洁，工作安全 6 符合欧洲 ROHS 标准的无铅产品 可靠。 应 用 典型应用图 单节锂离子可充电电池组 单节锂聚合物可充电电池组 封装和引脚 管脚 符号 管脚描述 5 NC NC 7,8,EPAD GND 芯片地，接电池芯负极，EPAD走 大电流。 6 VDD 电源端 1,2,3,4 VM 充电器负电压接入端 订货信息 过充检 过充解 过放检 过放解 过流检 打印标 型号 封装 测电压 除电压 测电压 除电压 测电流 记 （V） （V） （V） （V） （A） R369a RB369A ESOP_8 4.30 4.15 2.40 3.0 15 xxxx 注意：xxxx为字母和数字，用于产品批次识别。 RB369A Rev.0.5 1/ 8 内置MOSFET锂电池保护芯片 RB369A 原理图 Figure 2. 原理图 绝对最大额定值 参 数 符 号 最小值 最大值 单 位 供电电压 (VDD和GND 间电压 ) VDD -0.3 8.0 V 充电器输入电压（VM和GND间电压) VM -6.5 10.0 V 存贮温度范围 TSTG