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内置MOSFET锂电池保护芯片 RB324B 概 述 特 性 RB324B是一款内置MOSFET 的单节锂电池保 1内置48 mΩ MOSFET 护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低 2 超小超薄DFN2X2-6封装 阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压， 3 内置过温保护 充电过流，放电过压，放电过流，过热，短 4 二重过放电流检测保护 路等各项保护等功能，确保电芯安全，高效 5 超小静态电流和休眠电流 的工作。 A 静态工作电流为1.5 uA RB324B采用DFN2X2-6封装，外围只需要一 B 休眠电流为0.5 uA 个电阻和一个电容，应用极其简洁，工作安 6符合欧洲 ROHS 标准的无铅产品 全可靠。 典型应用图 应 用 单节锂离子可充电电池组 单节锂聚合物可充电电池组 自动激活问题 电阻R1阻值470Ω-2kΩ，电容C1 容值0-1uF， 接电芯后芯片能够自动激活，芯片正常工作。 封装和引脚 管脚 符号 管脚描述 1 VDD 电源端 2,3 GND 芯片地，接电池芯负极 4,5,6 VM 充电器负电压接入端 7 EPAD 接芯片地 订货信息 过充检 过充解 过放检 过放解 过流检 打印标 型号 封装 测电压 除电压 测电压 除电压 测电流 记 （V） （V） （V） （V） （A） RB324B DFN2X2-6 4.30 4.10 2.80 3.0 3.0 R324z RB324B Rev.0.1 1/ 8 内置MOSFET锂电池保护芯片 RB324B 原理图 Figure 2. 原理图 绝对最大额定值 参 数 符 号 最小值 最大值 单 位 供电电压 (VDD和GND间电压 ) VDD -0.3 8.0 V 充电器输入电压（VM和GND间电压) VM -5 10.0 V 存贮温度范围 TSTG -55 145 °C 结温 TJ -40 145 °C 功率损耗 T 25°C PMAX