RB3588A-rev0.6(2)-晶准-恒佳盛一级代理.pdf

内置MOSFET锂电池保护芯片 RB3588A 概 述 特 性 RB3588A 是一款内置MOSFET 的单节锂电池 1 内置 16 mΩ MOSFET 保护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常 2 散热好的SOP_8 封装 低阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压， 3 可接9V充电器 充电过流，放电过压，放电过流，过热，短 4 内置过温保护 路，电芯反接等各项保护等功能，确保电芯 5 三重过放电流检测保护 安全，高效的工作。 6 超小静态电流和休眠电流 RB3588A采用SOP_8封装，外围只需要一个 A 静态工作电流为3.2 uA 电阻和一个电容，应用极其简洁，工作安全 B 休眠电流为0.6 uA 可靠。 7 符合欧洲 ROHS 标准的无铅产品 应 用 典型应用图 单节锂离子可充电电池组 单节锂聚合物可充电电池组 封装和引脚 管脚 符号 管脚描述 5 NC NC 7,8 GND 芯片地，接电池芯负极 6 VDD 电源端 1,2,3,4 VM 充电器负电压接入端 订货信息 过充检 过充解 过放检 过放解 过流检 打印标 型号 封装 测电压 除电压 测电压 除电压 测电流 记 （V） （V） （V） （V） （A） R3588a RB3588A SOP_8 4.30 4.15 2.40 3.0 8.5 xxxx 注意：打印标记的xxxx为字母和数字，用于产品批次识别。 RB3588A Rev.0.6 1/ 8 内置MOSFET锂电池保护芯片 RB3588A 原理图 Figure 1. 原理图 绝对最大额定值 参 数 符 号 最小值 最大值 单 位 供电电压 (VDD和GND 间电压 ) VDD -0.3 8.0 V 充电器输入电压（VM和GND间电压) VM -8.0 10.0 V 存贮温度范围