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内置MOSFET锂电池保护芯片RB305A
概 述 特 性
RB305A是一款内置MOSFET 的单节锂电池保 1内置26mΩ MOSFET
护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低 2 SOT23-5封装
阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压, 3 内置过温保护
充电过流,放电过压,放电过流,过热,短 4 三重过放电流检测保护
路等各项保护等功能,确保电芯安全,高效 5 超小静态电流和休眠电流
的工作。 A 静态工作电流为2.2 uA
RB305A采用SOT23-5封装,外围只需要一个 B 休眠电流为0.4 uA
电阻和一个电容,应用极其简洁,工作安全 6符合欧洲 ROHS 标准的无铅产品
可靠。
应 用 典型应用图
单节锂离子可充电电池组
单节锂聚合物可充电电池组
自动激活问题
1 电阻R1 阻值 1kΩ-2kΩ,电容 C1 容值
10nF-1uF,接电芯后芯片自动激活,不需要
再接充电器激活。
封装和引脚
管脚 符号 管脚描述
1 NC NC
2 GND 芯片地,接电池芯负极
3 VDD 电源端
4,5 VM 充电器负电压接入端
订货信息
过充检 过充解 过放检 过放解 过流检
打印标
型号 封装 测电压 除电压 测电压 除电压 测电流
记
(V) (V) (V) (V) (A)
R305A
RB305A SOT23-5 4.30 4.15 2.40 3.0 6.5
xxxx
注意:打印标记的xxxx为字母和数字,用于产品批次识别。
RB305A Rev.0.9 1/ 8
内置MOSFET锂电池保护芯片RB305A
原理图
Figure 2. 原理图
绝对最大额定值
参 数 符 号 最小值 最大值 单 位
供电电压 (VDD和GND 间电压 ) VDD -0.3 8.0 V
充电器输入电压(VM和GND间电压) VM -8 10.0 V
存贮温度范围 TSTG -55
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