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本申请公开了一种LDMOS器件，涉及半导体制造领域。该器件包括：半导体衬底；掩埋层，形成于半导体衬底表层；隔离区，形成于掩埋层表面；漂移区，形成在隔离区上方；体区，形成在漂移区内；源区，形成在体区内；漏区，形成在漂移区表层；高压氧化硅场板，沉积在漂移区表层，高压氧化硅场板包括分别位于源区两侧的第一高压氧化硅场板和第二高压氧化硅场板；氧化层，形成于漂移区表层，氧化层薄于高压氧化硅场板；多晶硅栅极，形成在氧化层表面以及靠近氧化层的高压氧化硅场板的端部上；金属硅化物阻挡层，形成在高压氧化硅场板表层以及
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116613211 A
(43)申请公布日 2023.08.18
(21)申请号 202310533011.5
(22)申请日 2023.05.11
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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