GaN基发光二极管外延片及其制备方法.pdfVIP

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2023-08-23 发布于四川
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GaN基发光二极管外延片及其制备方法.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，包括依次设置的Si衬底、缓冲层及外延层，所述缓冲层包括沿外延生长方向依次沉积的AlN层、Al1‑xScxN层及高温AliGa1‑iN层，所述高温AliGa1‑iN层的Al组分含量沿外延生长方向渐变降低。本发明通过缓冲层中的AlN层、Al1‑xScxN层及高温AliGa1‑iN层之间的相互配合，有效减少Si衬底表面形成的Si原子的扩散，并且增加了与外延层之间的晶格匹配，有效解决现有技术中Si衬底与GaN材料之间存在的晶格失

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115347096 A (43)申请公布日 2022.11.15 (21)申请号 202211269718.1 (22)申请日 2022.10.18 (71)申请人江西兆驰半导体有限