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半导体结构、封装件及其形成方法.pdfVIP

半导体结构、封装件及其形成方法.pdf

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    本申请的实施例涉及半导体结构、封装件及其形成方法。一种半导体器件包括第一半导体结构，该第一半导体结构包括第一高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，其中第一HEMT器件包括第一栅极、第一源极和第一漏极；第二半导体结构堆叠在第一半导体结构之上并接合到第一半导体结构，其中第二半导体结构包括第二HEMT器件和第三HEMT器件，第二HEMT器件包括第二栅极、第二源极和电连接到第一源极的第二漏极，其中第三HEMT器件包括第三栅极、第三源极和电连接到第一栅极的第三漏极。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116631994 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310275974.X H01L 23/48 (2006.01)

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