A1015中文资料参数.docx

A1015 中文资料参数-2SA1015 引脚图 本译文译自 FAIRCHILE 公司 东芝 飞利浦的 1015 特性与之基本相同 A1015 三极管 排列引脚图 命名：2SA1015 如果叫法省略通常的叫法A1015 1015 2SA1015 代换型号：2SA608 管脚排列一是样的 主要参数： Symbol 符号 Parameter 参数 Value 数值 Units 单位 VCBO Collector-Base Voltage 集电极-基极电压 -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 集电极-射极电压 -50 V VEBO Emitter-Base Voltage 射极-基极电压 -5 V IC Collector Current 集电极电流 -150 mA Symbol Symbol 符 Min Typ Ma Parameter 参数 Test Condition 测试条件 号 最小 平均 最 BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage 集 IC= -100μA, IE=0 -50 - - IB Base Current 基极电流 -50 mA PC Collector Power Dissipation 耗散功率 400 mW TJ Junction Temperature 结温 125 ℃ TSTG Storage Temperature 贮藏温度 -65 ~ 150 ℃ 电参数： 电极-基极击穿电压 Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO IC= -10mA, IB=0 -50 - - 集电极-发射极击穿电压 Emitter-Base Breakdown Voltage 发射 BVEBO 极-基极击穿电压 IE= -10μA, IC=0 -5 - - Collector Cut-off Current 集电极截 ICBO VCB=60V, IE=0 - - -0. 止电流 Emitter Cut-off Current 射极 IEBO VEB=5V, IC=0 - - -0. 截止电流 VCE=6V, IC=2mA 70 hFE1 hFE2 DC Current Gain 直流电流增益 - 40 VCE=6V, IC=150mA 25 Collector-Emitter Saturation Voltage 集 VCE(sat) IC=100mA, IB=10mA - -0.1 -0. 电极-发射极饱和电压 Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage 基极- VBE (sat) IC=100mA, IB=10mA - - -1.1 V 射极饱和电压 Current Gain Bandwidth Product 电流 fT VCE=10V, IC=1mA 80 - - MHz 增益带宽 Cob Output Capacitance 输出电容 VCB=10V, IE=0, f=1MHz - 4.0 7.0 pF VCE=6V, IC=0.1mA NF Noise Figure 噪声系数 - 0.5 6.0 db RS=10kΩ, f=1Hz 后缀符号 O Y GR 放大倍数 70-140 120-240 200-40 放大倍数： A1015 特性曲线： 静态特性曲线