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薄膜淀积
单晶硅(外延)—器件;多晶硅—栅电极;SiO —互连介质;2Si N —钝化。金属…?3 4化学气相淀积:反应剂被激活后在衬底表面发生化学反应成膜。1)主气流中的反应剂越过边界层扩散到硅片表面;2)反应剂被吸附在硅片表面;3)反应成核生长;4)副产物挥发。表面反应控制:温度质量输运控制:反应器形状,硅片放置
LPCVD
13.56MHzüü
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PECVD薄膜淀积质量强烈依赖于RF功率、压强、温度等参数
溅淀积金属薄膜淀积金属、介质等多种薄膜
真空加热器:电阻丝或电子束
一、真空蒸发淀积薄膜的物理过程汽化热
二、真空度与分子平均自由程?保角差平均自由程
三、蒸发速率和淀积速率点
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