《声表面波器件用单晶薄膜基片》.docxVIP

Q/XXX PAGE I T/CECA XXX—2021 PAGE 18 ICS ICS 31.140 CCS l21 团 体 标 准 团 体 标 准 T/CECA XXX-2021 T/CECA XXX-2021 中国电子元件行业协会发 布20XX—XX—XX实施2021—XX—XX发布声表面波器件用 中国电子元件行业协会 发 布 20XX—XX—XX实施 2021—XX—XX发布 声表面波器件用单晶薄膜基片 Single-crystal Thin Films Substrate for SAW Devices 在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 （征求意见稿） （本稿完成日期：2021-05-25） T/CECA XXX—202X PAGE 17 声表面波器件用单晶薄膜基片 范围 本文件规定了单晶薄膜基片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标签/标识、储存和运输。 本文件适用于声表面波器件用单晶薄膜基片。 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件，其随后所有的修改单（不包含勘误的内容）或修订版本均不适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 30118 声表面波器件用单晶晶片规范与测量方法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T29505 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 GB/T2828.1-2012 计数抽样检验程序 术语和定义 GB/14264、GB/T 6619和GB/T 30118界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 单晶薄膜基片 Single-crystal Thin Films Substrate 单晶薄膜基片通常包含依次层叠的薄膜层、绝缘层、捕获层和衬底。其中，捕获层可根据需求选择省略。单晶薄膜基片也可以叫做绝缘体上单晶薄膜(thin film on insulator, TFOI)。 薄膜层为通过离子注入键合剥离技术制备得到的功能层，位于绝缘层上方。 薄膜层材料：铌酸锂（LN）、钽酸锂(LT)；绝缘层材料：SiO2；捕获层材料：多晶硅；衬底材料：硅 单晶薄膜基片结构示意图 薄膜层与衬底主参考面方向允差 tolerance of orientation between primary flat of film layer and the primary flat of substrate 通过X射线衍射测得的薄膜层主参考面的实测方向与给定的衬底主参考面方向的允许差值。 非TFOI边缘区域 non-TFOI edge area TFOI的衬底外围上无薄膜层的圆周区域，用宽度尺寸表达。 17点平均厚度 average thickness for 17 point 为17个测量点厚度的平均值，测量点如图2中所示。 17点平均厚度允差 average thickness tolerance for 17 point TV17 为17点平均厚度的允许差值。 17点厚度偏差 thickness variation for 17 point 晶片厚度差的一种测量值，定义为17个测量点之间的最大厚度差值，测量点如图2中所示。 17个测量点示意图 注：17个测量点的选取区域为FQA内，测量点①⑨⑩?位于FQA边界上，除测量点①外，图示其他相邻测量点之间距离相等。 表面质量 surface quality 空洞 void 指TFOI材料中键合界面缺少化学键合的区域。 色斑 colour spot 薄膜层厚度不均匀导致的薄膜层表面颜色产生目视可见的差异现象。 技术要求 17点平均厚度允差 薄膜层 薄膜层的平均厚度允差应当符合表1中的规定。 绝缘层 绝缘层的平均厚度允差应当符合表1中的规定。 捕获层（适用时） 捕获层的平均厚度允差应当符合表1中的规定。 TV17 薄膜层 薄膜层的TV17应当符合表1中的规定。 绝缘层 绝缘层的TV17应符合表1中的规定。 捕获层（适用时） 捕获层的TV17应符合表1中的规定。 平均厚度及允差、TV17技术要求 材质 标称厚度 （nm） 17点平均厚度允差 （nm） TV17 （nm） 薄膜层 LN 100? d 300 ±10 40 300? d ?700 ±20 50 700 d ?1000 ±30 60 LT 100? d 300