《声表面波器件用单晶薄膜基片》编制说明.docxVIP

一、工作简况 任务来源 根据中电元协《关于下达2021年第二批中国电子元件行业协会团体标准制定项目计划的通知》（中电元协2021第（007）号），《声表面波器件用铌酸锂和钽酸锂单晶薄膜》团体标准项目于2021年04月26日立项，任务计划编号为YX202104004。 制定背景 近年来，随着智能手机的迅速普及和移动通信技术的不断升级，对高性能射频滤波器的需求也呈现出激增之势，移动通信频段的数量在不断增加，手机所需的滤波器数量也在持续增长，这给基于晶体材料制备的高端滤波器提供了巨大的发展空间和市场。 钽酸锂、铌酸锂是一种重要的压电晶体材料，其具大的有机电耦合系数(k)大、高质量因子(Q)、小的频率温度系数(TCF)等特点，在滤波器应用方面具有明显优势。铌酸锂和钽酸锂单晶晶圆作为基础材料，可以进一步加工成单晶薄膜材料，为5G通讯、量子通讯、电子信息等领域的提供关键基础材料。基于这种薄膜材料做成的声学滤波器等器件，具有高速、高频、高带宽、低功耗、超小型、高集成度等特点，能够解决目前普遍存在的高端声学器件的基础材料问题，满足宽带通信系统对高性能、轻量化和集成化的迫切需求，能够推动产业的升级换代，具有重要的产业应用价值和变革性意义。 目前国内暂无单晶薄膜基片相关行标准，该标准的制定可填补空白，有利于规范行业秩序，对我国钽酸锂及铌酸锂产业的健康有序发展以及促进下游光纤通讯、5G高端芯片产业快速发展具有十分重要意义。 工作过程 本标准参与编制的单位：济南晶正电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第二十六研究所、中电科技德清华莹电子有限公司、山东大学、山东省科学院新材料研究所、无锡市好达电子股份有限公司、杭州左蓝微电子技术有限公司、广东广纳芯科技有限公司共计8家单位。 本标准牵头单位是济南晶正电子科技有限公司，负责本标准相关资料的搜集和调研、标准框架编制、标准内容起草、验证试验、反馈意见整理等工作；中国电子科技集团公司第二十六研究所、中电科技德清华莹电子有限公司、山东大学、山东省科学院新材料研究所、无锡市好达电子股份有限公司、杭州左蓝微电子技术有限公司补充完善标准内容。 团体标准项目任务下达后，承办单位中电元协电子陶瓷及器件分会组织和落实了本标准主要参加单位和工作组成员，具体清单及工作分工如表1所示： 表1 本标准参与编制单位及成员分工 序号 成员姓名 编制组成员单位 组内职务 职责 1 胡文 济南晶正电子科技有限公司 项目负责人 负责完成标准各阶段文件的编写、修改，标准项目计划的进度控制，以及与其他单位的沟通协调。 2 冯杰 中国电子科技集团公司第二十六研究所 编制组成员 协助项目负责人完成标准各阶段文件的编写、修改，按期完成项目负责人分派的工作任务。 3 贝伟斌 中电科技德清华莹电子有限公司 编制组成员 4 陈昆峰、唐供宾 山东大学 编制组成员 5 王旭平 山东省科学院新材料研究所 编制组成员 6 王为标 无锡市好达电子股份有限公司 编制组成员 7 刘建生 杭州左蓝微电子技术有限公司 编制组成员 8 李红浪 广东广纳芯科技有限公司 编制组成员 （1）资料收集和调研阶段 2021年04月，开展资料的搜集及研究。根据声表面波器件用单晶薄膜基片的特点及其主要应用领域，搜集、整理了一系列与其应用相关的标准信息和文献资料。包括上下游产品、相关产品测试方法、检验规则的行业标准、国家标准、国际标准。 标准起草形成阶段 2021年04月，济南晶正电子科技有限公司牵头组织对标准要求与框架进行确认，并在单位内部评审讨论后形成工作组讨论稿。 在本标准草稿形成阶段，主要参考了GB/T 30118《声表面波器件用单晶晶片规范与测量方法》、GB/T 14139-2019《硅外延片》、GB/T 37053-2018《氮化镓外延片及衬底片通用规范》、GB/T 12964-2018《硅单晶抛光片》、YS/T 554-2007《铌酸锂单晶》、YS/T 42-2010《钽酸锂单晶》等，确定了标准的基本框架。 参考GB/T 6618-2009《硅片厚度和总厚度变化测试方法》、GB/T 29507《硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法》GB/T 6619-2009《硅片弯曲度测试方法》、GB/T 29505-2013《硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法》等标准，完善了试验方法的内容，形成了初稿。 工作组讨论稿形成阶段 2021年06月05日，起草工作组首次会议成功召开，会议讨论了当前国际国外先进标准的情况以及国内《声表面波器件用单晶薄膜基片》的生产使用现状，确定了标准起草的总体框架和主要内容，并搜集到反馈意见18条，采纳16条，不采纳2条。未采纳的建议已经与相关单位逐一沟通，也得到各企业的认同。 工作组讨论稿完善阶段 2021年6月～2021年9月，牵头单位广泛