模拟电路总复习知识点1.docx

第一章 绪论 模拟信号和数字信号 ·模拟信号：时间连续、幅度连续的信号（图 1.1.8）。 数字信号：时间、幅度离散的信号（图 1.1.10） 放大电路的基本知识 ·输入电阻 R i ：是从放大器输入口视入的等效交流电阻。 R i 是信号源的负载， R i 从信号源吸收信号功率。 ·输出电阻 R o ：放大器在输出口对负载 R L 而言，等效为一个新的信号源（这说明放大器向负载 R L 输出功率 P o ），该信号源的内阻 即为输出电阻。 ·放大器各种增益定义如下： V 端电压增益： A ? o V V Vi V 源电压增益： A ? o VS V s I  ? R A R ? R V is i i 电流增益： A ? o I I Ii I 互导增益： A ? o G V Vi V 互阻增益： A ? o I I Vi V 负载开路电压增益（内电压增益）： A ? o ， A ? R A P功率增益： A ? 0 ?| A || A | P V 0 V i  LRL?? L V R ? R V 0 0 L P P V I i A 、 A 、 A 、 A V G R I 的分贝数为 20lg A ； A p 的分贝数为 20lg A 。p 。 ·不同放大器增益不同，但任何正常工作的放大器，必须 AP ? 1 。 ? V·任何单向化放大器都可以用模型来等效，可用模型有四种（图 1.2.2 ? V ·频率响应及带宽： A ( j ) ? o ( j?) 或 A ? A (?)?? (?) V V ( j?) V V i A (? ) —— 幅频相应（图 1.2.7）：电压增益的模与角频率的关系。 V ?(?) —— 相频相应：输出与输入电压相位差与角频率的关系。 BW —— 带宽：幅频相应的两个半功率点间的频率差 BW ? f ? f 。 H L ·线性失真：电容和电感引起，包括频率失真和相位失真（图 1.2.9） ·非线性失真：器件的非线性造成。 第二章 晶体二极管及应用电路 一、半导体知识 本征半导体 ·单质半导体材料是具有 4 价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图 2.1.2），一些金属化合物也具有半导体的性质如砷化镓 GaAs。前者是制造半导体 IC 的材料，后者是微波毫米波半导体器件和 IC 的重要材料。 ·本征半导体：纯净且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。 1 ·本征激发（又称热激发或产生）：在一定的温度下，本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。温度越高， 本征激发越强。 ·空穴：半导体中的一种等效 ?q 载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位，使局部显示 ?q 电荷的空位宏观定向运动（图 2.1.4）。 ·复合：在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象。复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。 杂质半导体 ·在本征硅（或锗）中渗入微量 5 价（或 3 价）元素后形成N 型（或P 型）杂质半导体（P 型：图 2.1.5，N 型：图 2.1.6）。 ·电离：在很低的温度下，N 型（P 型）半导体中的杂质会全部，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。 ·载流子：由于杂质电离，使 N 型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P 型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。 ·在常温下，多子少子（图 1-7）。多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 ·在相同掺杂和常温下，Si 的少子浓度远小于Ge 的少子浓度。 二、PN 结 在具有完整晶格的P 型和 N 型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN 结（图 2.2.2）。 PN 结（又称空间电荷区）：存在由 N 区指向P 区的内电场和内电压；PN 结内载流子数远少于结外的中性区（称耗尽层）；PN 结内的电场是阻止结外两区的多子越结扩散的（称势垒层或阻挡层）。 ·单向导电特性：正偏 PN 结（P 区电位高于 N）时，有随正偏电压指数增大的电流；反偏 PN 结（P 区电位低于 N 区），在使 PN 结击穿前，只有很小的反向。即 PN 结有单向导电特性（正偏导通，反偏截止）。 ·反向击穿特性：当反偏电压达到一定值时，反向电流急剧增大，而PN 结两端的电压变化不大（图 2.2.6）。 PN 结的伏安方程为： i ? I S (ev /V ? 1) ，其中，在 T = 300K 时，热温度当量V TT T 26mV 。 三、半导体二极管 ·普通二极管内就是一个 PN 结，P 区引出正电极，N 区引出负电极（图 2.3.1）。 ·在低频运用时，二极的具有单向导电特性，正偏时导通，Si 管