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本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种研磨方法及膜结构；对于存在显著图形密度差异的工件结构，通过设置牺牲层即第四介质层（040）来平衡研磨过程中由于较高的选择比带来的负载效应LE（LoadingEffect）；其中，牺牲层可通过氧化过程来构造，并可通过调节氧化过程的氧气比例实现膜厚度的定量补偿；其牺牲层可基于前置的多晶硅沉积步骤获得相应的氧化硅膜结构；相关方法和结构可消除由于负载效应LE引入的下陷碟状（Dishing）瑕疵或由此导致的研磨差异和加工参数波动，并可进一步克服虚拟图形（Dummy）
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116766045 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310800067.2
(22)申请日 2023.06.30
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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