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本发明提供一种提升锗硅机台WPH的方法,所述方法包括:提供包括冗余有源层及冗余栅层的设计版图,其中,所述冗余有源层包括至少2个间隔排布的有源区图形,所述冗余栅层位于所述冗余有源层上,其包括多个间隔排列的栅极;减少所述栅极的密度,并将位于所述冗余有源层的所述有源区图形合并;于所述冗余有源层上添加锗硅层。通过本发明解决了现有的因SiGe图形密度较低导致机台产能受到影响的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779421 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310799969.9 H01L 29/161 (2006.01)
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