一种SiC MOSFET串扰抑制的谐振辅助驱动电路.pdfVIP

2022 年 6 月 电 工 技 术 学 报 Vol.37 No. 12 第 37 卷第 12 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Jun. 2022 DOI: 10.19595/ki.1000-6753.tces.210599 一种SiC MOSFET 串扰抑制的谐振辅助 驱动电路 黄勇胜 张建忠 王 宁 （东南大学电气工程学院 南京 210096 ） 摘要 随着SiC MOSFET 开关频率的不断增加，逆变器桥臂串扰现象越发严重并易造成桥臂 直通短路，这限制了SiC MOSFET 开关频率的进一步提高。该文提出一种SiC MOSFET 串扰抑制 的谐振辅助驱动电路，通过在栅源之间添加电容电感辅助谐振电路，能够在SiC MOSFET 关断期 间完成负压到零压的变化，同时不需要使用有源器件。当SiC MOSFET 开通时，辅助电路让栅极 电压从0.7V 上升而非负压上升，相较于传统驱动电路，开关速度更快、开关损耗更低；而且同时 具备抑制正向串扰和反向串扰的优点。该文分析电路的参数设置，并通过仿真和实验验证了该电 路相对于传统驱动电路的优势。 关键词：串扰抑制 SiC MOSFET 谐振辅助驱动电路 无源电路 中图分类号：TM23 A Resonant Auxiliary Drive Circuit for SiC MOSFET to Suppress Crosstalk Huang Yongsheng Zhang Jianzhong Wang Ning （School of Electrical Engineering Southeast University Nanjing 210096 China ） Abstract With the increase of the switching frequency of SiC MOSFETs, the crosstalk of inverter bridge arm becomes more and more serious, and it is easy to cause the bridge arm through short circuit, which limits the further increase of the switching frequency of SiC MOSFETs. In this paper, a resonant auxiliary driving circuit for SiC MOSFET crosstalk suppressionis proposed. By adding a capacitor inductor auxiliary resonant circuit between the gate and the source, the negative voltage can be changed to zero voltage during the turn-off period of SiC MOSFETs without any active devices. When the SiC MOSFET is turned on, the auxiliary circuit makes the gate voltage rise from 0.7V instead