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本发明公开了一种金属‑铁电‑半导体外延异质结构可调电容器建模方法,在该建模方法中,基于麦克斯韦(Maxwell)方程与铁电‑半导体层的电位移矢量连续方程得到铁电层电场与半导体表面电荷面密度、铁电体极化强度的函数关系,并通过二阶罗森布罗克(Rosenbrock)公式对铁电体偶极子极化微分方程进行数值求解,采用电压正向扫描与反向扫描仿真薄膜电容器的高频状态下C‑V曲线,该模型可以准确刻画电容器参数对电容可调性的影响。本发明对基于MFS可调电容的声表面波(SAW)滤波器参数优化设计具有重大意义。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116776541 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310515513.5
(22)申请日 2023.05.09
(71)申请人 东南大学
地址 211100
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