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本发明公开的一种耐高温硅基高灵敏应变传感器包括以SOI硅片为基础的单晶硅层，经热氧化的二氧化硅层，提高应变灵敏度为目的减薄单晶硅层；在单晶硅层磁控溅射金属离子形成的相互垂直的4个压敏电阻；所述压敏电阻形成电气连接的重离子参杂过渡区，顶部有覆盖整个器件的绝缘层氮化硅薄膜；所述的单晶硅层13在原有厚度基础上减薄50％～70％。所述的压敏电阻采用U型结构，宽度为长度的5％～10％，通过电气连接形成惠斯通电桥，输出信号和应变保持函数关系。与现有技术相比，本发明传感器应变片的结构设计合理，能够在300℃～
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116772706 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310568439.3
(22)申请日 2023.05.19
(71)申请人 昆明理工大学
地址 650093
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