ZnMgO薄膜的制备及其特性的研究.docx

ZnMgO薄膜的制备及其特性的研究 摘要 随着科技在日新月异地发展，我们步入了信息化时代，LED半导体技术作为信息化时代重要技术之一，其发展进度很大程度上标志着信息化时代的发展进度。LED的半导体材料经历两次革命之后，发展为第三代半导体材料，具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小等特点，最具代表性的第三代半导体材料氮化镓(GaN),室温下其禁带宽度为3.37ev，束缚能约25 meV，载流子迁移速率良好，于1991年首次成功掺杂为GaN基pn结，聚焦了世界各个高精尖新材料研究机构的目光，拉开了第三代半导体材料发展的帷幕，然而其成本较为昂贵，商业化成本高昂，难以进行更广阔的应用。近些年