微电子器件期末复习题含答案.pdf

所有解答为个人整理，如有错误请仔细甄别！ 13 级 期末复习题库 典例解答 电子科技大学/命题 陈 卉 /转载 王 嘉 达 /整理 【习题压得准 五杀跑不了】 微电子器件（陈星弼·第三版） 电子工业出版社 ◎前言◎ 根据统计，课堂测验、课后作业中的题目提纲中无相似题型，请复习提纲的同 时在做一次作业以及课堂测验。作业答案、课堂作业答案平时随课堂进度上传群共 享，请自行查阅。本答案为个人整理，如有不妥之处望批评指正。计算题部分，实 在无能为力，后期会继续上传计算题集锦，敬请期待。 另，由于本人微电子班，无光源班群，请有心人士转载至光源班群，共同通过 期末考试！ 微电子器件（第三版）陈星弼 电子科技大学中山学院/——1 陈卉/题目 王嘉达/答案 答案为个人整理，如有错误请 仔细甄别 ！ 厚德 博学 求是 创新 16 3 1、若某突变 PN 结的 P 型区的掺杂浓度为NA 1.510 cm ，则室温下该区的平衡多 16 3 14 3 子浓度p 与平衡少子浓度 n 分别为（NA 1.510 cm ）和（NA 1.510 cm ）。 p0 p0 2、在PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（负）电荷，N 区一侧带（正）电荷。内建电 场的方向是从（N）区指向（P）区。[发生漂移运动，空穴向 P 区，电子向N 区]  3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（d E q u ）。由此方程可以看 dx S D 出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（大）。 4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（小），内建电场的最大值就越（大）， 内建电势V 就越（大），反向饱和电流 I 就越（小）[P20]，势垒电容 C 就越（ 大 ）， bi 0 T 雪崩击穿电压就越（小）。 KT N N 5、硅突变结内建电势V 可表为（v ln A D ）[P9]在室温下的典型值为（0.8V） bi bi 2 q ni 6、当对PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）。 7、当对PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（增大），势垒区的势垒高度会（提高）。 8、在 P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度 n 与外加电压 V 之间的关系可表示为 p qv 17 3 （ ）P18。若P 型区的掺杂浓度N 1.510 cm