二极管三极管场效应管试题.doc

半导体器件测试题 一、填空(40分) I(mA)V(v)00.5-50 1、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。在纯净的半导体中掺入少量的 价元素，可形成P型半导体，又称 型半导体，其中多数载流子为 I(mA) V(v) 0 0.5 -50 2、如图，这是 材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V时， 即称为 电压。其中 稳压管一般工作在 区。 3、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。 4、二极管的主要参数有 ________、_________和 。 5、晶体三极管是___________控制器件。三极管按材料分为_ 和 两种类型，而每一种又有 和 两种结构形式。 6、三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。工作在饱和区时发射结 偏；集电结 偏。 7、三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作于 时，Ic=0；当三极管工作于 区时，关系式Ic=βIb才成立；当三极管工作在 区时。 8、三极管的电流分配关系是 。 9、场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。 10、场效应管的转移特性曲线是指在一定的 下， 和 之间的关系。场应管的输出特性曲线划分为________、_________和 三个区。 二、判断题（14分） 1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。 2、（ ）P型半导体带正电，N型半导体带负电。 3、（ ）硅的导通电压为0.3V，锗的导通电压为0.7V 。 4、（ ）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。 5、（ ）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。 6、（ ）三极管的中ICEO的值体现了温度稳定性，越大说明三极管热稳定性越高。 7、（ ）对于三极管来说，只要发射结正偏集电结反偏就工作在放大状态。 8、（ ）三极管可以用两个二极管来替代。 9、（ ）三极管有放大作用，把基极能量放大成集电极电流输出。 10、（ ）硅三极管比锗三极管稳定。 11、（ ）场效应管是电流控制型器件。 12、（ ）结型场效应管可分为增强型与耗尽型两种。 13、（ ）场效应管的跨导反映了△VGS对△ID的控制能力。 14、（ ）开启电压VT是耗尽型场效应管和重要参数。 三、选择题（26分） 1、半导体的导电能力（ ）。 A.与导体相同 B.与绝缘体相同 C.介乎导体和绝缘体之间 2、当温度升高时，半导体的导电能力将（ ）。 A.增强 B .减弱 C.不变 3、P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ ）。 A.带正电 B.带负电 C.不带电 4、将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将（ ）。 A.变宽 B.变窄 C.不变 5、电路如图所示,所有二极管均为理想元件，则D、D、D的工作状态为（）。 A.D导通，D、D截止 B.D、D截止，D3导通 C.D、D截止，D导通 D.D、D、D均截止 6、二极管的死区电压随环境温度的升高而（ ）。 A.增大 B.不变 C.减小 7、测 得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V、0.7V和4.7V，则该管为（）。 A.NPN型锗管 B.PNP型锗管 C.NPN型硅管 D.PNP型硅管 8、工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（ ）。 A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结反偏，集电结正偏 C.发射结、集电结均反偏 D.发射结、集电结均正偏 9、某效应管的符号如图所示，则该场效应管应为（）。 A.P沟道耗尽型 B.P沟道增强型 C.N沟道增强型 10、某场效应管的转移特性如图所示，则此场效应管为（）。 A.绝缘栅N沟道耗尽型B.绝缘栅P沟道耗尽型C.绝缘栅N沟道增强型