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优选详细的MOS管运用电路 本文档共26页；当前第1页；编辑于星期三\17点44分 3.1 场效应管 场效应管按结构分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两类。 3.1.1结型场效应管 1. 结型场效应管的结构及工作原理 1) 基本结构及符号 如图3.1(a)所示, 在一块N型硅半导体两侧制作两个P型区域, 形成两个PN结, 把两个P型区相连后引出一个电极, 称为栅极, 用字母G(或g)表示。 本文档共26页；当前第2页；编辑于星期三\17点44分 图 3.1结型场效应管结构与符号图 结构; (b) N沟道结型场效应管符号; (c) P沟道结型场效应 ? 本文档共26页；当前第3页；编辑于星期三\17点44分 2) 工作原理 图3.2表示的是结型场效应管施加偏置电压后的接线图。 2． 特性曲线 场效应管的特性曲线分为转移特性曲线和输出特性曲线。  1) 转移特性 在uDS一定时, 漏极电流iD与栅源电压uGS之间的关系称为转移特性。 即 (3. 1) 本文档共26页；当前第4页；编辑于星期三\17点44分 图3.2 N沟道结型场效应管工作原理 本文档共26页；当前第5页；编辑于星期三\17点44分 图3.3 N沟道结型场效应管转移特性曲线 本文档共26页；当前第6页；编辑于星期三\17点44分 2) 输出特性 输出特性是指栅源电压uGS一定, 漏极电流iD与漏极电压uDS之间的关系, 即 在UGS(off)≤uGS≤0的范围内, 漏极电流iD与栅极电 压uGS的关系为 (3. 2) (3. 3) 本文档共26页；当前第7页；编辑于星期三\17点44分 图 3.4 N沟道结型场效应管输出特性曲线 本文档共26页；当前第8页；编辑于星期三\17点44分 3.1.2绝缘栅型场效应管 1. 增强型绝缘栅场效应管的结构及工作原理 1) 结构及符号 2) 工作原理 图 3.5增强型MOS管结构及符号图 (a) N沟道结构图; (b) N沟道符号; (c) P沟道符号 本文档共26页；当前第9页；编辑于星期三\17点44分 图 3.6 N沟道增强型MOS管工作原理 本文档共26页；当前第10页；编辑于星期三\17点44分 3) 特性曲线 （1） N沟道增强型绝缘栅场效应管的转移特性曲线如图3.7(a)所示。 在uGS≥UGS（th）时, iD与uGS的关系可用下式表示: (3. 4) 其中ID0是uGS=2UGS（th）时的iD值。 （2） N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 如图3.7（b）所示。 本文档共26页；当前第11页；编辑于星期三\17点44分 图3.7N沟道增强型场效应管特性曲线 （a） 转移特性; （b） 输出特性 本文档共26页；当前第12页；编辑于星期三\17点44分 2. 耗尽型绝缘栅场效应管的结构及工作原理 图3.8为N沟道耗尽型场效应管的结构图。 其结构与增强型场效应管的结构相似, 不同的是这种管子在制造时, 就在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的正离子。 本文档共26页；当前第13页；编辑于星期三\17点44分 图3.8耗尽型MOS管结构及符号图 (a) N沟道结构图; （b） N沟道符号; （c） P沟道符号 ? 本文档共26页；当前第14页；编辑于星期三\17点44分 图3.9N沟道耗尽型场效应管特性曲线 （a） 转移特性; （b） 输出特性 ? 在uGS≥ UGS（off）时, iD与uGS的关系