In掺杂晶体Si电子结构的第一性原理计算.docx

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2023-10-03 发布于湖北
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In掺杂晶体Si电子结构的第一性原理计算摘要硅是一种禁带宽度为1.12eV、间接带隙的第IV主族半导体材料，也是制作集成电路的最主要原材料。所谓集成电路，就是在一块硅晶片上制作上亿个电子元器件，再把它们连接起来，让一块很小的晶片实现强大的功能，高速地完成复杂的运算。在未来数十年里，硅的应用会更加广泛，而且人们对硅的需求和要求都会更加高。硅一直以来都受到广大科技工作者的关注，然而由于单晶硅的电导率很低，为了提高硅的导电性能，各国学者致力于研究杂质原子类型，掺杂浓度对硅的电导率，光吸收系数等的影响，目前最常见的手段中子嬗变掺杂、气相掺杂法、原料掺杂法、硅心掺杂法、合金掺杂法、涂抹