半导体单晶硅生长用石英坩埚生产规范.pdfVIP

ICS **.*** F 12 团 体 标 准 T/CEMIA*** －2020 半导体单晶硅生长用石英坩埚生产规范 Quartz crucible manufacturing practices for semiconductor monosilicon growth （征求意见稿） 20 ××- ××- ××发布 20 ××- ××- ××实施 中国电子材料行业协会 发 布 T/CEMIA 000－2020 半导体单晶硅生长用石英坩埚生产规范 1 范围 本文件确立了半导体单晶硅生长用石英坩埚从业人员、生产设备、主要原辅材料、生产工艺、作业 环境及产品质量管控的程序和总体原则。 本文件适用于半导体单晶硅生长用石英坩埚生产过程。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB 8978 污水综合排放标准 GB 12348 工业企业厂界环境噪声排放标准 GB 16297 大气污染物综合排放标准 GB 18597 危险废物贮存污染控制标准 GB 18599 一般工业固体废物贮存、处置场污染控制标准 GB 50034 建筑照明设计标准 GB 50073 洁净厂房设计规范 GBZ 2.1 工作场所有害因素职业接触限值第1部分：化学有害因素 GBZ 188 职业健康监护技术规范 GBZ/T 189.8 工作场所物理因素测量 第8部分：噪声 GBZ1-2010 工业企业设计卫生标准 第6部分：工作场所基本卫生要求 JC/T 2205-2014 石英玻璃术语 3 术语和定义 JC/T 2205-2014 《石英玻璃术语》、T/CEMIA005-2018 《光伏单晶硅生长用石英坩埚生产规范》界 定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 电弧熔制 electric arc fusion 利用高温电弧熔融石英砂原料的过程。 [来源：T/CEMIA005-2018，3.1，有修改] 3.2 外表面处理 outer surface treatment 利用研磨器具或外力冲击作用去除石英坩埚外表面未完全熔融石英砂的过程。 [来源：T/CEMIA005-2018，3.2] 3.3 切边倒棱 cutting and chamfering 2 T/CEMIA 000－2020 利用切割工具对石英坩埚毛边进行切断，并对切割断面进行倒角处理的过程。 [来源：T/CEMIA005-2018，3.3] 3.4 化学清洗 chemical cleaning 利用化学药液侵蚀石英坩埚内、外表面，去除内、外表面杂质的过程。 [来源：T/CEMIA005-2018，3.4] 3.5 干燥 drying 使石英坩埚内、外表面及端口残留水份气化蒸发从而去除的过程。 3.6 涂层 coating 在石英坩埚内壁或外壁涂覆特种材料的过程。 [来源：T/CEMIA005-2018，3.5] 4 从业人员 4.1 职业健康 应按照GBZ 188 的要求，对从业人员进行岗前、岗中、离岗职业健康体检，同时配备符合要求的 个体防护用品，保证从业人员符合职业健康安全管理要求。 4.2 岗位技能 从业人员应通过三级安全教育、岗位技能培训，经考核合