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ICS 35.060 CCS L 74 团 体 标 准 JH/CIE XXX-202 1 阻变存储单元电学测试规范 Resistive Memory Cell Electrical Parameter Test Sepcification （征求意见稿） 2022.5.20 （本草案完成时间： ） 在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 2021-XX-XX 发布 2021-XX-XX 实施 中 国 电 子 学 会 发 布 JH/CIE XXX-2021 阻变存储单元电学测试规范 1 范围 本文件规定了阻变存储单元擦写、耐久性和数据保持等测试方法，其结果用于表征阻变存储器的 电学特性。 本文件适用于阻变存储器器件的测试，用于测试器件单元特性，不适用于包含外部驱动电路的存 储单元。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适 用于本文件。 GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 GB/T 35003-2018 非易失性存储器耐久和数据保持试验方法 3 术语和定义 GB/T 9178、GB/T 14113和GB/T 17574界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 阻变存储单元 resistive memory cell 一种在外部电场的作用下能够改变阻值的非易失存储单元。 3.2 形成操作 forming operation 阻变存储单元在初始时施加特定电压，从而形成具备阻变特性的存储器。 3.3 写操作 set operation 阻变存储单元在外部电场的作用下从高阻态向低组态转变的过程。 3.4 擦操作 reset operation 阻变存储单元在外部电场的作用下从低阻态向高组态转变的过程。 3.5 读操作 read operation 测量阻变存储器单元电阻，从而读取存储单元的存储状态。 3.6 窗口 windows 高阻态阻值与低阻态阻值的比例。 3.7 耐久 endurance 1 JH/CIE XXX-2021 阻变器件经受连续多次数据擦写的能力。 3.8 数据保持 data retention 在规定的时间内，阻变存储器在非偏置条件下保持数据的能力。 4 设备 4.1 概述 测试流程需要使用下列设备。 4.2 脉冲信号发生器 具有矩形脉冲信号输出功能，满足阻变存储器擦写和读取过程中的脉冲要求，具备外部控制源 控制输出电压和脉冲宽度的能力。 4.3 温度试验箱 提供高低温测试环境，能够将温度稳定在规定温度的±3℃之内。 4.4 源测量单元 可同时精确采集和测量电压和/或电流，其测量精度满足阻变存储器擦写与读取过程中电压与电 流测量要求，具备数据记录与远程控制功能。 4.5 探针台 针对未封装器件，提供对测试阻变存储单元的测试接入。 4.6 测试夹具 针对封装后器件，提供对测试阻变存储单元的测试接入。 5 测试流程 5.1 擦写脉冲的选择