半导体单晶硅生长用石英坩埚编制说明.pdfVIP

《半导体单晶硅生长用石英坩埚》团体标准 （征求意见稿） 编制说明 2020 年12 月13 日 第 1 页 共 4 页 一、工作简况 1、任务来源 为了进一步规范半导体用石英坩埚产品的技术要求，推进半导体硅晶片产业链的不 断完善和发展。中国电子材料行业协会石英材料分会于 2020 年决定起草编制 《半导体 单晶硅生长用石英坩埚》团体标准。 本标准由内蒙古欧晶科技股份有限公司，锦州佑鑫石英科技有限公司，江西中昱新 材料科技有限公司起草。 2、主要起草编制过程 2020 年7 月成立标准编制组，调研了国内外的半导体石英坩埚的使用标准和生产 厂家的现状，进一步比较充分地对比和评价国内外相关产品指标和性能，并明确了编制 组的工作职责和任务； 2020 年9 月在内蒙古呼和浩特召开了《半导体单晶硅生长用石英坩埚》的团体标准 及生产标准的立项评审会；同月在标准计划得到立项批复后，编制标准的草案并对草案 进行研讨； 2020 年11 月标准的计划得到立项批复后，完成了《半导体单晶硅生长用石英坩埚》 团体标准的草案讨论稿，并在浙江余姚召开团体标准研讨会，邀请国内科研院所，大学 的专家，国内有代表性的坩埚生产企业共同讨论，对讨论稿中的标准范围、相关技术参 数和要求进行分析和讨论。 2020 年12 月完成 《半导体单晶硅生长用石英坩埚》团体标准的征求意见稿。 二、编制原则和主要内容的依据 1、编制原则 本文件按照GB/T1.1-2020 《标注化工作导则第 1 部分：标准化文件的结构和起草 规则》的要求进行编制。制定的原则是保持标准的科学性和适用性，各项技术指标均能 达到国内先进标准水平。 2 、主要内容依据 本文件的编制主要参考 《光伏单晶硅生长用石英坩埚》T/CEMIA 004-2018 ，《光伏 单晶硅生长用石英坩埚》 JC/T 1048-2018 。 3、标准主要制定内容说明 本标准界定了半导体单晶硅生长用石英坩埚的术语和定义，规定了尺寸偏差、技术 第 2 页 共 4 页 要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存等。确保石英坩埚品质的统一性 和稳定性。本标准与 《光伏单晶硅生长用石英坩埚》T/CEMIA 004-2018 ，《光伏单晶硅 生长用石英坩埚》JC/T 1048-2018 的技术的主要技术标准，主要对以下内容进行增加或 调整： 3.1 本标准术语中新增了3.14 崩边，明确了石英坩埚切割面、端面、边部的要求； 3.2 本标准调整了微气泡、圆度偏差、壁内、附着物、沾污、划伤、杂质点、晶纹、气 泡群等做了英文翻译和定义说明，使其更能准确针对石英坩埚的术语进行表述； 3.3 本标准中4.1 外本标准形及表示中新增了Ci 内倒角、Co 外倒角位置； 3.4 调整了5.1 尺寸偏差中缩小了大于22 英寸坩埚的高度偏差缩小 1 个单位、厚度偏 差缩小0.5 个单位；r 弧度间隙缩小2 个单位，加严了石英坩埚的尺寸偏差要求； 3.5 调整了 5.2.1 外观缺陷中调整了杂质点、气泡个数、气泡群个数标准，如原有大于 22 英寸坩埚杂质点0.5mm ＜Φ≤1.5mm 的≤ 4 个，现调整为0. mm5＜Φ≤1.5mm 的调 整为≤ 3 个； 3.6 调整了5.2.2 透明层内单位体积的微气泡密度个数，如下所示： 变更前 变更后 位置 D≤22 英寸 D＞22 英寸 D≤22 英寸 D＞22 英寸 透明层 ≤15 ≤10 ≤10 ≤8 3.7 新增了5.3.1 内层高纯和内层合成石杂质元素含量的上限要求； 3.8 调整了7.3.1 总则c ），由原来的停产4 个月修改到2 个月以上。 四、标准中如有涉及专利，应有明确的知识产权说明。 本标准的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 五、产业化、推广应用论证和预期达到的经济效果等情况。 随着我国