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本发明涉及基因检测设备技术领域，具体涉及一种诱导损伤介电击穿固态纳米孔的制备方法和固态纳米孔器件。S1.将洁净的Si3N4薄膜芯片置于真空腔内，在Si3N4薄膜芯片表面进行辐照，使Si3N4薄膜表面诱导出损伤区；S2.将诱导了损伤区的Si3N4薄膜芯片清洗，随后载入液池腔室，采用介电击穿技术对损伤区进行介电击穿，得到固态纳米孔，该诱导损伤介电击穿固态纳米孔的制备方法能够限制纳米孔生成位置，且能提高成孔速度，实现在薄膜上原位快速制造固态纳米孔，具有方便快捷和可操性强的优点。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116854030 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310583779.3
(22)申请日 2023.05.23
(71)申请人 广东工业大学
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