AlxGa1-xN材料生长及MSM型紫外探测器制备研究的中期报告.docx

AlxGa1-xN材料生长及MSM型紫外探测器制备研究的中期报告 中期报告： 一、研究背景 随着无线通讯、火灾探测、水质净化等现代科技的快速发展，紫外探测技术成为一个广泛应用的研究领域。AlxGa1-xN材料是现今紫外探测器研究中应用最广泛的材料之一。本研究的目的在于探究AlxGa1-xN材料的生长和制备MSM型紫外探测器的方法。 二、研究内容 1. AlxGa1-xN材料生长方法研究 本研究采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长AlxGa1-xN材料。通过变化沉积材料的气相流量比例，控制AlxGa1-xN中Al元素的摩尔分数x的值。成功生长了摩尔分数x为0.2和0.4的AlxGa1-xN薄膜。 2. MSM型紫外探测器制备方法研究 本研究采用光刻和电子束蒸发工艺制备AlxGa1-xN MSM型紫外探测器。首先，在AlxGa1-xN薄膜表面沉积金属Al电极。接下来，在两个Al电极之间光刻出一定间距的阳极和阴极。最后，通过电子束蒸发制备金电极作为探测器的引线。 三、初步研究结果 1. AlxGa1-xN材料的结构表征 采用X射线衍射仪（XRD）对生长的AlxGa1-xN薄膜进行结构表征，结果显示薄膜为Wurtzite结构，符合理论预测。利用扫描电子显微镜（SEM）对薄膜表面形貌进行观察，结果显示薄膜表面均匀，致密。 2. MSM型紫外探测器的响应测试 采用光源在波长为365nm的情况下照射AlxGa1-xN MSM型紫外探测器，通过测量产生的电流大小来测试探测器的响应。结果显示，探测器对紫外光的响应强度随着光源强度增加而增加；随着探测器工作电压的增加，响应强度也呈上升趋势。 四、进一步研究计划 1. 优化MOCVD生长AlxGa1-xN材料的条件，提高薄膜品质和晶体质量； 2. 深入研究AlxGa1-xN MSM型紫外探测器响应机理，优化探测器电极结构和尺寸，提高探测器性能指标； 3. 研究AlxGa1-xN MSM型紫外探测器在实际应用中的适用范围，探讨探测器在应用上的局限性。