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超导体磁滞回线峰效应的数值计算及其机理研究的中期报告
超导体磁滞回线峰效应是指在超导体中由于磁滞现象引起的磁场强度发生突然变化，从而产生的电压峰值现象。该现象对超导体的电学性能有重要影响，因此深入研究其机理具有重要理论和实际应用意义。
本文以三维G-L方程为基础，采用自适应有限元方法对超导体磁滞回线峰效应进行了数值计算。首先建立了超导体的数学模型，并对模型进行了数值离散化处理。然后，以不同角度和外磁场强度为变量进行模拟，得到了超导体在不同状态下磁滞回线峰的反应规律。
通过数值计算和分析，我们发现磁滞回线峰效应主要是由超导体内部磁场的不连续分布和磁场渗透引起的。当外磁场强度逐渐增大时，超导体内部的磁场分布越来越不均匀，最终导致磁滞回线峰的出现。同时，我们也发现超导体的临界电流密度和温度等因素对磁滞回线峰效应产生了明显的影响。
综上所述，本文对超导体磁滞回线峰效应的数值计算和机理研究进行了初步探索，为进一步研究超导体的电学性能奠定了基础。未来我们将进一步深入地研究超导体内部的电荷输运等微观机制，以期更好地理解和控制超导体的性能。
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