电子技术基础(三)4套试题 .pdfVIP

电⼦技术基础（三）4套试题 全国2009年4⽉⾼等教育⾃学考试 电⼦技术基础（三）试题 课程代码：04730 ⼀、单项选择题（本⼤题共15⼩题，每⼩题1分，共15分） 在每⼩题列出的四个备选项中只有⼀个选项是符合题⽬要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均⽆分。 1.两个串联元件A 、B 上的电压与电流参考⽅向如题1图所⽰，已知U 1=2V ，I=5A，U 2= - 4V，则（ D） A.元件A 吸收功率10W ，元件B 吸收功率20W B.元件A 产⽣功率10W ，元件B 产⽣功率20W C.元件A 产⽣功率10W ，元件B 吸收功率20W D.元件A 吸收功率l0W ，元件B 产⽣功率20W 2.实际电压源和电流源模型中，其内阻与理想电压源和电流源之间的正确连接关系是（ C） A.理想电压源与内阻串联，理想 电流源与内阻串联 B.理想电压源与内阻并联，理想电流源与内阻串联 C.理想电压源与内阻串联，理想电流源与内阻并联 D.理 想电压源与内阻并联，理想电流源与内阻并联 3.若正弦电压)62sin()(11π-π=t U t u m（V ），)3 2s i n ()(22π-π=t U t u m（V ），则u 2相位（ D） A.超前u 1相位3π B.滞后u 1相位3π C.超前u 1相位6π D.滞后u 1相位6π 4.某场效应管的转移特性曲线如题4图所⽰，则可以判断该管为 （ C） A.P沟道增强型MOS 管 B.P沟道耗尽型MOS 管 C.N 沟道增强型MOS 管 D.N 沟道耗尽型MOS 管 5.某放⼤器在1K Ω负载电阻上测得输出电压为1V ，在4.7KΩ负载电阻上测得输出电压为1.65V，则该放⼤器的输出电阻等于 （ A） A.1KΩ B.2KΩ C.4.7KΩ D.5.7KΩ 6.同相⽐例运算电路与反相⽐例运算电路的R if相⽐较，则（ B） A.反相⽐例运算电路的R if⼤ B.同相⽐例运算电路的R if⼤ C.两者R if⼀样⼤ D.两者R if不可⽐较 7.在反相⽐例运算电路中，下列说法错误 ．．的是（D） A.同相端接地u+=0 B.u_ = 0 C.共模输⼊u ic=0 D.差模输出u0=0 8.单相桥式整流电路，U2为变压器副边电压有效值，则输出电压平均值U O （A V）为（A） A.0.9U2 B.U2 C.2U2 D.3U2 9.下列集成稳压器中，其输出电压为+6V的是（ C ） A.7906 B.79M06 C.7806 D.7809 10.A○+B= （ A ） A.A A+ B.AB A+ B C.AB D.AB 11.某逻辑电路真值表如题11表所⽰，其函数F的表达式是（B ） A.F=B B.F=A C.F=A D.F=B 12.已知波形图如题12图所⽰，其逻辑函数Y 的表达式为（ B ） A.Y=B A+ B.Y=AB C.Y=AB D.Y=A+B 13.若要使表达式Y=A○+B○+C○+D为0，则ABCD的取值组合为（） A.0001 B.001l C.0111 D.1110 14.题14图所⽰电路为同步D触发器，设初始状态为0，则经过⼀个cp脉冲后，其Q端状态为（） A.l B.0 C.n Q D.n Q 15.题15图所⽰可编程PLA器件中，A和B为输⼊变量，则输出变量F为（） A.F=A B+AB B.F=AB+A B C.F=AB+B A D.F=A B+A B ⼆、填空题（本⼤题共15⼩题，每⼩题1分，共15分） 请在每⼩题的空格中填上正确答案。错填、不填均⽆分。 16.电路如题16图所⽰，ab两端的等效电阻R ab等于___3__Ω。 17.电路如题17图所⽰，电流I等于_ 33/ 50_______A。 18.正弦电压) t uπ )(t =V，则该电压的⾓频率等于__120π______rad/s。 120 120 sin( 19.N沟道增强型MOS管⼯作在放⼤区（恒流区）时，则其漏极电流只受__ U GS __ 电压的控制。 20.共射-共集构成的两级级联放⼤电路，其输⼊电阻由共射极放⼤电路__放⼤器决定。 21.电压并联负反馈能够_ _减⼩______输⼊电阻。 22.理想运放在线性区内其同相输⼊端与反相输⼊端的输⼊电流为_ 0___。 23.若在电路中发现集成运放处于开环应⽤，则此电路必为_ 电压⽐较器_______。 24.三端集成稳压器78M05的输出电流为___+100