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一种发光二极管芯片.pdfVIP

一种发光二极管芯片.pdf

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    本实用新型提供了一种发光二极管芯片，通过在衬底上形成若干个呈阵列分布的凹槽，各相邻所述凹槽形成凸起台面，并在各凹槽底面及凸起台面生长芯粒，从而使芯粒形成上下错位，进而能较为简单地实现所述凹槽及凸起台面的芯粒的分离，使所述凹槽的芯粒保留在所述衬底上，所述凸起台面的芯粒转移至所述转移基板上发光二极管芯片的巨量转移；同时，该发光二极管芯片的结构，能同时满足不同色系的发光二极管的巨量转移；最后，通过各凹槽的侧壁设置保护胶，能进一步使位于凹槽底面的芯粒在巨量转移过程中不被损坏，从而提高产品的良率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210668380 U (45)授权公告日 2020.06.02 (21)申请号 20192

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