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* 半导体存储器件 *存储器件8.1存储设备的分类 光存储器磁存储器半导体存储器CD RWMsCD ROMs主内存辅助存储器 *磁存储器软盘硬盘数字音频磁带磁泡存储器辅助存储器U盘移动硬盘 *主存储器半导体存储器只读存储器ROMs读写存储器RAMs双极静态RAMs SRAMsMOS静态RAMs SRAMs动态RAMsDRAMs非易失性RAMsNVRAMs 双极MOS掩膜ROMPROM掩膜ROM 可编程ROM 可擦可编程ROM 电可擦出可编程ROM *8.2只读存储器ROM1.ROM的结构ROM由三部分组成：1.地址译码器2.存储矩阵3.输出缓冲器 *2.可编程ROM存储容量：每行为4位，共存了8行4位× 8=32位总共容量为32位最早的ROM，电路如左图所示。有内部译码器的ROM。图中，虚线左侧为译码器，与非阵列，右侧为存储器数据的“或”阵。因为A2A1A0=000时，最顶点的与非门输出为0。将电流流过R沿箭头流向与非门入地。输出端D3度出0。同样，D2，D1读出为0，D0读出1。于是第0行存的数据为D3D2D1D0=0001。图中用箭头表示的连接为编程，存储数码0，无箭头表示1。 *3.典型ROM集成电路 存储器阵列用黑点表示存储数码1。每个黑点表示一个晶体管或场效应晶体管。右侧框内，虚线上面为双极晶体管，虚线下面为MOS场效应晶体管。由于连接的晶体管不同，分为双极型ROM和MOS型可编程ROM。 编程就是把连接晶体管的基极或栅极上的熔丝烧断与否。烧断表示0，不烧断为1。在编程时按需要有选择的保留或烧断就是编程。译码器与阵列存储或阵列 *7488-256位可编程双极型ROMA0A1A2A3A4+VccEnD0D1D2D3D4D5D6D7GND74881234567981011121314151632 x 8bit *MOS掩膜可编程ROM存储容量为：215× 8（位）=256K（位）=32K（字）型号为：47256表示存256K位代码，相当于32K个字（8位/字）芯片内部结构：262,144位掩膜可编程ROM；组成32768个字（8位/字），即32K字存储器；15位地址线输入用于选择32768个存储单元中的任何一个。8位Data输出线。D0~D7访问时间及功耗：NMOS的47256访问时间为200ns，电源功耗为82.5mw；CMOS的47c256（TMS47c256）访问时间为150ns，电源功耗28mw控制端E和S的功能：E、S——低电平输入有效S——是片选控制端，要求输入芯片在系统中的接口 地地E——有控制掉电功能，芯片使能端E=1时，内部电路工作在掉电方式，芯片只消耗正常工作电流的1/4，这个特性适合电池供电系统 *8.3PROMPROM的熔丝是完好的，未编程的。编程是用户自己完成的。使用专用编程器，将熔丝烧断。烧断的单元存储0，保留的存储1。PROM分两类：低密度，高速，高功耗的有：74186是512位双极型PROM，组织成存储64个字（8位/字），访问时间为50nsMOS的PROM：高密度，低速，低功耗。如TMS27pc256是32个字（8位/字），访问时间为120ns *8.4可擦写PROM图示2732EPROM和标准的PROM一样，存储数据。区别在于若要改变存储内容只需将以前的数据擦掉重新编程。方法：用紫外线擦抹器，打开抽屉，将EPROM放入其中，关上抽屉接正电源，里面的紫外线灯照射2~5分钟，就将内容全部擦掉。EPROM在芯片顶部中心位置有一方形窗户，通过紫外线照射，将存储的电荷释放。缺点：EPROM用紫外线擦抹时，整个芯片的内容全部擦掉，因此若只希望改变一个字节或一位时，必须把所有内容全部擦掉，然后对整个真值表重新编程。1.EPROM *2.EEPROM电路特点：1.是用电脉冲编程。2.可利用电脉冲擦除存储的数据。3.对E2PROM编程存储字节要用+21v 10ms脉冲， E2PROM适合大容量（几千个字节）的编程，可大量减少编程时间。突出优点：对存储的数据可以单字节擦除或改变。即单字节擦除，单字节改变。 *ROM有多种用途1.数码转换2.字符发生器3.复字符发生器4.组合逻辑电路5.算术运算6.查表7.键盘译码器8.5ROM的应用 *应用实例1.用PROM实现数码的转换。用256× 8位ROM将8421二进制编码转换成格雷码。解： 用8421二进制编码作为地址译码器的输入（A0~A7），在存储器中，存入格雷码，每个地址对应一个存储单元。 *应用实例2.用ROM作为字符发生器用PROM.IC存储芯片，作为字符发生器。将R先画在坐标纸上，写成点阵形式，将各点存入PROM。然后将A0~A3地址依次与CE输入，就可读出R字符。 *应用实例3.用ROM实现组