磁控溅射法制备六方氮化硼薄膜的工艺的研究.docxVIP

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2023-10-30 发布于湖北
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磁控溅射法制备六方氮化硼薄膜的工艺的研究.docx

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PAGE PAGE 1 PAGE PAGE 1 摘要 PAGE PAGE 3 PAGE PAGE 2 论文题目：磁控溅射法制备六方氮化硼薄膜的工艺的研究摘要六方氮化硼（h-BN）既是优良的导热体又是良好的电绝缘体，具有类石墨结构，俗称“白石墨”，是一种人工合成的超宽禁带半导体材料，其禁带宽度高达6.0 eV以上，本征吸收边约为207 nm。除此之外，h-BN常被用于石墨烯所制成器件的衬底材料或绝缘栅材料，是因为h-BN的晶格与石墨烯的十分匹配。而且，h-BN还在深紫外光电器件和高温、大功率微电子器件领域有良好的应用前景。但是由于h-BN的制