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在表面上选择性形成磷掺杂外延材料的方法.pdf

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用于选择性形成磷掺杂外延材料的方法和系统。该方法可用于从底部向上在间隙内选择性地形成磷掺杂外延材料。示例性方法可用于例如在场效应晶体管器件中形成源极和/或漏极区，例如在全环绕栅极场效应晶体管器件中。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116978777 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202310457579.3 H01L 29/78 (2006.01) (22)申请日 2023.04.

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