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具有掺杂硼和镓的硅锗层的结构及其形成方法和系统.pdfVIP

具有掺杂硼和镓的硅锗层的结构及其形成方法和系统.pdf

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    本文的一些示例提供了一种形成掺杂硅锗层的方法。该方法可以包括将衬底同时暴露于(a)硅前体、(b)锗前体、(c)硼前体和(d)异质镓前体。异质镓前体可以包括(i)至少一个直链烷基，其中末端碳直接键合到镓，和(ii)至少一个叔烷基，其中叔碳直接键合到镓。该方法可以包括使硅前体、锗前体、硼前体和异质镓前体反应，以在衬底上形成掺杂有硼和镓的硅锗层。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116978776 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202310456756.6 (22)申请日 2023.04.25 (30)优先权数据 63/335,768 2022

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