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模拟电子技术基础CAI; 目录;课程特点;学习方法;第一章 半导体基础及应用电路 ;1.1 半导体基础知识;1.1半导体材料及导电特性;; 当Si(或Ge)原子组成单晶体后,各原子之间有序、整齐的排列在一起,原子之间靠得很近,价电子不仅受本原子的作用,还要受相邻原子的作用。 ;Eg;(三)本征载流子(intrinsic carrier)浓度;1.1.2 杂质半导体(donor and acceptor impurities) ;;;(二)P型半导体(P type semiconductor);(二)P型半导体(P type semiconductor);(三)杂质半导体中的载流子浓度 ;(三)杂质半导体中的载流子浓度 ;1. 1 . 3 漂移电流与扩散电流;(二)扩散 电 流(diffusion current);§1.2 PN结;N;1. PN结的形成;2. PN结的特点 ;1.2.2 PN结的单向导电特性;;;1.3 晶体二极管及应用;1.3 晶体二极管及应用;;; 二极管击穿后端电压几乎不变,具有稳压特性。;UD;1.3.3 二极管的等效模型 ;[例1.1] Si二极管与恒压源E和限流电阻R构成的直流电路如图1.25所示。求二极管工作点UD和ID的值。 ;电路仿真;1.3.4 二极管应用电路;1.3.4二极管应用电路;;Ui;;1.3.6 PN结电容;;二极管主要参数;;;;2. BJT三种基本组态;3.BJT的偏置方式:;;① 多子通过EB(发射)结注入B区;② 由浓度差引起基区非平衡少数载流子的扩散与复合。;;返回;(2) 放大偏置时的电流关系 ;电流分配关系小结:;(3) BJT的截止与饱和工作状态 ;4. BJT偏置电压与电流的关系 ;4. BJT偏置电压与电流的关系 ;2. 1.2 BJT的静态特性曲线;1. 共射BJT的输入特性曲线;;;EC;;iB=-ICBO;1. 4. 3 BJT的主要参数;EC;1. 4. 3 BJT的主要参数;EC;b’;;;小结:四个物理效应;;;2 H参数等效电路;2 H参数等效电路;2 H参数等效电路;2 H参数等效电路;;π参数等效电路与H参数等效电路的关系;引言;2.2 结型场效应管;2.2.1 JFET的结构及基本工作原理;;;综上分析,可得下述结论:;输出特性的斜率随栅源电压而变化,栅源电压愈负,输出特性曲线相对纵坐标轴愈倾斜,漏源间的等效电阻愈大。 ;2.2.2 JFET特性曲线及参数;3. 主要参数;在小信号条件下,微分diD、duGS和duDS可以分别用交流小信号id、ugs和uds来代替。 ;2.3 金属—氧化物—半导体场效应管(MOSFET);;;;;;5 E型NMOSFET大信号特性方程 ; N沟道增强型MOSFET的输出特性曲线也可分成四个区:可变电阻区(Ⅰ区)、恒流区(Ⅱ区,也称为放大区)、击穿区(Ⅲ区)和截止区(Ⅳ区)。将预夹断方程中的等号改为大于号,管子进入放大区(恒流区);将等号改为小于号,管子进入可变电阻区。 ;G;2.3.3 MOSFET小信号模型;2.3.3 MOSFET小信号模型 ;1.背栅控制特性 ;3. 亚阈区导电特性 ;3.MOSFET的等效电容 ;4.MOSFET交流小信号等效模型 ;2.3.4 场效应晶体管与双极型晶体管的比较;第三章 晶体管放大电路基础;3.1 放大电路的基本组成和工作原理;;返回;返回;返回;返回;;;;1 .放大器组成的基本原则;1 .放大器组成的基本原则;在晶体管放大电路的设计和分析中有两类基本问题:;2. 直流通路与静态工作点的估算;(2) BJT静态工作点Q的估算法 ; (3) 等效电源法:;(4) FET的直流偏置电路及静态分析;(4) FET的直流偏置电路及静态分析;晶体管放大电路的直流偏置电路及静态工作点分析小结 ;;3.1.3 放大电路的图解法;;;;;二 图解法与动态工作分析:;二 图解法与动态工作分析:;3.2 三类基本组态放大电路的交流特性分析 ;2.2.1 共射放大电路的特性与动态分析;3.2.1 共射(CE)和共源(CS)放大电路;(2) 微变等效电路;2.交流参数分析:;2.交流参数分析:;(3)电压增益Au;(4)源电压增益Aus ;(5)电流增益:;(6)功率增益AP;放大器微变等效分析的步骤如下:;[例3.4] 图所示的共射(CE)和共源(CS)放大电路中,已知 BJT的rb‘b =200Ω ,β= 200,UA= 100V。FET的 ;C1,C2是
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