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第 1 章 半导体二极管及其基本电路;;半导体的特点;1.1.1 本征半导体;硅(锗)的原子结构;2、本征半导体的晶体结构;3、本征半导体的导电情况;本征激发：;两种载流子;1.1.2 杂质半导体;;三、杂质半导体的导电作用;四、P 型、N 型半导体的简化图示;;3. 继续扩散和漂移达到动态平衡;;2、定量估算;3、伏安特性;1.2　半导体二极管;1.2.1 半导体二极管的结构和类型;点接触型;1.2.2 二极管的伏安特性;二、二极管的伏安特性;反向击穿类型：;硅管的伏安特性;温度对二极管特性的影响;1.2.3 二极管的主要参数;影响工作频率的原因 —;1.3　二极管的模型;1.3.1 理想二极管模型;uD = UD(on);1.3.３　二极管的交流小信号模型 ;公式法：;1.4 半导体二极管的应用;;;2. 并联限幅电路;3. 双向限幅电路;1.4.2 二极管在整流电路中的应用;2. 全波整流电路;1. 5　特殊二极管;1.5.1 稳压二极管;二、主要参数;5. 稳定电压温度系数 CT;例 1.5.1 分析简单稳压电路的工作原理， R 为限流电阻。;1.5.2 发光二极管与光敏二极管;2. 主要参数;二、光敏二极管;补充：选择二极管限流电阻;小 结;一、两种半导体和两种载流子;iD;3. 二极管的等效模型;4. 二极管的应用;;2.1　晶体管;(Semiconductor Transistor);分类：;二、电流放大原理;3. 三极管内部载流子的传输过程;I CN;4. 三极管的电流分配关系;;2.1.2 晶体三极管的特性曲线;;二、输出特性;;;三、温度对特性曲线的影响;2. 温度升高，输出特性曲线向上移。;2.1.3 晶体三极管的主要参数;;三、极限参数;U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。;2.2.1.放大的概念 ;二.方框图;三、放大电路的四端网络表示;２.2.2 放大电路的主要性能指标;二、输入电阻;当信号源有内阻时：;三、输出电阻;四、 通频带; ;2. 3　晶体管放大电路的组成及其工作原理;输出不失真; 1.发射结加正向电压 2.集电结加反向电压 3.把信号源加到b-e之间 4.在输入信号作用下得到不失真的输出信号 以上四条是判断三极管放大电路能否放大的依据，四条必须同时满足。;2.3.2、 共射基本放大电路的工作原理;符号说明;2.3.3、放大电路中各元件的作用;;;;;;单电源供电;RB;; 1.静态：ui=0. ;2. 4　图解分??法;引　言;放大电路没有输入信号时的工作状态称为静态。;Rb;一、静态工作点的估算;;RB;（1）估算IB（ UBE ?0.7V);（2）估算UCE、IC;例：用估算法计算静态工作点。;RＢ;1.在输入回路中确定 (IB,UBE);uCE = VCC ? iC RC;三、电路参数对静态工作点的影响;2.4.2 用图解法确定动态工作情况;;;二. 放大电路的非线性失真问题;2.“Q”过高引起饱和失真;;三.接上负载为RL时的图解法;对交流信号(输入信号ui);交流通路;2. 交流负载线;iC;交流量ic和uce有如下关系：;IC;直流负载线是用来确定工作点的； 交流负载线是用来画出波形，分析波形失真。;3.选择工作点的原则：;;;RB;;当 ui = 0 uBE = UBEQ iB = IBQ iC = ICQ uCE = UCEQ ;优点:可以直观全面地了解放大电路的工作情况，通过选择电路参数在特性曲线上合理地设置静态工作点，分析最大不失真输出电压、失真情况并估算动态工作范围。 缺点:在特性曲线上作图比较繁琐，误差大，信号频率较高时，特性曲线不再适用。因此图解法只适合分析输出幅值比较大且工作频率较低的情况。在分析其他动态指标，如输入电阻、输出电阻等时比较困难。下一节将要讨论更为简便有效的分析方法，微变等效电路分析法。;2. 5　微变等效电路 分析法;一 建立小信号模型的意义; 当放大电路的输入信号电压很小时，就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。;2.5.2 H参数的引出;输出端交流短路时的输入电阻；;输入端电流恒定（交流开路）的反向电 压传输比;输出端交流短路时的正向电流传输比或电流放大系数；;输入端电流恒定（交流开路）时的输出电导。;2.5.3 H参数小信号模型;1. 模型的简化;2. H参数的确定; 一.等效电路的画法;画微变等效电路;1.电压放大倍数的计算;电路的输入电阻越大，从信号源取得的电流越小，因此一般总是希望得到较大的的输入