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III-V族材料和氧化物材料之间的增强键合.pdfVIP

III-V族材料和氧化物材料之间的增强键合.pdf

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    本公开的实施例涉及III‑V族材料和氧化物材料之间的增强键合。当III‑V族半导体材料被键合到氧化物材料时，如果水分子被捕获在III‑V族材料和氧化物材料之间的界面处，则水分子会使键合降级。因为水分子可以容易地通过氧化物材料扩散，并且可以不容易通过III‑V族材料或通过硅扩散，因此迫使III‑V族材料抵靠氧化物材料能够迫使界面处的水分子进入氧化物材料并远离该界面。可以在制造期间，迫使界面处存在的水分子通过硅层中的垂直通道进入掩埋氧化物层，从而增强III‑V族材料和氧化物材料之间的键合。还可以迫使

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110416224 A (43)申请公布日 2019.11.05 (21)申请号 20191

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