磁存储器寿命预测方法、装置、电子设备及存储介质.pdfVIP

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2023-11-04 发布于四川
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磁存储器寿命预测方法、装置、电子设备及存储介质.pdf

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本发明涉及一种磁存储器寿命预测方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取测试数据，测试数据为对多个样本器件分别进行应力加速测试所获得的数据；根据测试数据确定漏电压与过底电压的关系，漏电压为磁隧道结的电压分压，过底电压为底电极两端电势差；基于测试数据，以及漏电压与过底电压的关系，结合可靠性加速模型，获得耐久性寿命模型，并根据耐久性寿命模型预测磁存储器寿命。本发明通过应力加速测试对多个样本器件进行测试，获得的测试数据所需要的时间较短，通过该测试数据可确定漏电压与过底电压的关系，并结合可靠性加速

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116991646 A (43)申请公布日 2023.11.03 (21)申请号 202311258838.6 (22)申请日 2023.09.27 (71)申请人致真存储（北京）科技有限公司地

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