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本发明涉及存储器技术领域，具体涉及一种DDR多比特ecc错误处理方法，包括以下步骤：S01）DDR控制器检测在不同写入数据下的ecc错误地址是否相同；S02）判定该ecc错误为软件故障或硬件故障；S03）当ecc错误为硬件故障时，对ecc报错地址单独进行读写；S04）根据读写结果判定ecc报错地址处是否出现ecc错误；S05）若是，则判定为颗粒故障；若否，则判定地址线间存在短路；S06）对不同的故障类型进行不同方式的修复。本发明可提高错误识别的准确率，可使用户快速对故障进行修复，提高了内存系统的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117012261 A
(43)申请公布日 2023.11.07
(21)申请号 202310974123.4
(22)申请日 2023.08.04
(71)申请人 山东华芯半导体有限公司
地址 2
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