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第一章 半导体器件;1.1 半导体与二极管;典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。;二. 杂质半导体; 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。;三. PN结及其单向导电性; PN结加正向电压时，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;1.1.2 二极管的结构和符号; 二极管按结构分三大类：;(3) 平面型二极管;半导体二极管的型号;半导体二极管图片; 1.1.3 二极管的伏安特性;二极管的近似分析计算;1.1.3 二极管的主要参数;;当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数; 稳压二极管的主要 参数;1.2.2 变容二极管;1.2.3 光电二极管;1.2.4 发光二极管; 发光二极管是一种新型冷光源。由于它体积小、用电省、工作电压低、寿命长、单色性好和响应速度快，因此，常用来作为显示器。 ;1.3 半导体三极管;一.三极管的结构;三极管分类：;1.3.2 三极管的电流分配关系与放大作用 ;2.三极管实现放大作用的条件 ;发射结正偏，集电结反偏;3. 三极管的电流分配关系与放大作用 ;晶体管电流测量数据; 三极管集电极直流电流IC和相应的基极电流IB的比值称为直流放大系数，用表示，即 一般情况下，?与很接近，即?≈ ，通常?与无须严格区分，可以混用。;1.3.3 三极管在电路中的基本连接方式;1.3.4 三极管的伏安特性; 2. 输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const ; 输出特性曲线可以分为三个区域: ;1.3.5 三极管的主要参数;2. 反向饱和电流 ; 3.极限参数; （3）反向击穿电压;; 1.4 场效应管;1.4.1 绝缘栅场效应管简介; 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。; 定义： 开启电压UGS(th)——刚刚产生沟道所需的栅源电压UGS; ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用;（3）特性曲线; ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const; 一个重要参数——跨导gm：; 2.N沟道耗尽型MOSFET;N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线; 3、P沟道耗尽型MOSFET;1.4.2 场效应管的主要参数和使用注意事项;(2）交流参数 ① 跨导gm ,跨导反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，它是标志场效应管放大能力的重要参数，单位为mS或?S。值得注意的是，gm与工作点有关，它随工作点的变化而变化。 ② 极间电容 指场效应管3个电极之间的等效电容CGS、CGD、CDS，一般为0.1～3 pF，是影响管子高频性能的参数。 （3）极限参数 ① 漏极最大允许耗散功率PDM,,,指ID与UDS的乘积不应超过的极限值。 ② 漏源击穿电压U(BR)DS,指ID开始急剧增加的漏源电压。;;本章小结 （1）半导体导电能力取决于其内部载流子的多少，半导体有电子和空穴两种载流子。本征半导体有热敏特性、光敏特性、掺杂特性。在本征半导体中掺入相应的杂质，便可制成P型半导体和N型半导体，它们内部都有空穴和电子两种载流子，其中多子是由掺杂产生的，少子是由本征激发产生的。 （2）PN结是构成各种半导体的基础，它具有单向导电性。当接正向偏置时，有较大的正向电流，正向电阻较小；而接反向偏置时，反向电流很小，反向电阻很大。 （3）半导体二极管的核心是一个PN结，它的特性与PN结基本相同。二极管的伏安特性是非线性的，所以是非线性器件。二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压和反向饱和电流。 ;（4）稳压二极管是一种特殊二极管，利用在反向击穿状态下的恒压特性，常用它来构成简单的稳压电路。其他特殊二极管，如变容二极管、发光二极管、光敏二极管等均具有非线性的特点，它们均有不同于普通二极管的特殊用途。 （5）晶体三极管是由两个PN结构成的半导体器件，在集电结反偏，发射结正偏的外部条件下，晶体管的基极电流对集电极电流具有控制作用，即电流放大作用。晶体三极管有三种连接方式，广泛采用的是共发射极连接。它有三种工作状态，即截止状态、饱和状态和放大状态。三极管的三个极的电流关系是IE=IB+IC，在放大状态时，IC=?IB+ICEO≈?IB，这表明三极管是一种电流控制型器件，具有受控特性（指IC与IB的关系）和恒流特性（指IC和UCE的关系）。 ;（6）晶体三极管是一种非线性器件，使用中应注意分析方法，它的特性曲线和参数是正确运用晶体三极管的重