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本发明公开了改善浪涌抑制晶闸管可靠性的工艺方法及浪涌抑制晶闸管，涉及晶闸管技术领域，其技术方案要点是：基于高温水洗的方式保留在制备浪涌抑制晶闸管时，磷扩散工艺所去除的二氧化硅层，其中二氧化硅层的表面含磷。本发明在磷预扩后的清洗工艺阶段，利用高温水洗的方式保留表面含磷的二氧化硅层，保留下来的二氧化硅层中的磷杂质，在后续的氧化推进(磷再扩)过程中，继续保留在氧化层中，间接的增加了氧化层表面的磷含量，提升了对可动阳离子的吸附能力，有效固定氧化层中离子杂质，可有效的起到钝化作用，从而提高了浪涌抑制晶闸管
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038452 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311000575.9
(22)申请日 2023.08.09
(71)申请人 四川广义微电子股份有限公司
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