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本发明涉及一种二维MEMS微镜和制备方法,其二维MEMS微镜包括:第一SOI晶圆;第二SOI晶圆:第二SOI晶圆上刻蚀带有多个空槽的环状动齿和设置在空槽内并与动齿垂直连接的扭转梁;动齿与扭转梁连接处设为圆角;第三SOI晶圆:第三SOI晶圆上刻蚀带有多个第二隔离槽的上静齿;第二SOI晶圆和第三SOI晶圆均刻蚀微间隙;第一SOI晶圆、第二S0I晶圆和第三S0I晶圆键合;第一S0I晶圆、第二SOI晶圆和第三SOI晶圆的硅器件层厚度为60至150μm;本发明实现了采用三片S0I键合,上S0I刻蚀出的上静
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117023504 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310959811.3
(22)申请日 2023.08.01
(71)申请人 苏州亿波达光电子
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